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‌MCT8314Z 无传感器梯形控制集成FET三相BLDC电机驱动器总结

科技绿洲 2025-10-11 15:23 次阅读
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1. 核心特性

image.png

  • 集成驱动与控制
    • 支持霍尔传感器梯形控制(120°换向),兼容模拟/数字霍尔输入。
    • 可配置PWM调制(同步/异步),支持高达100 kHz PWM频率。
    • 集成电流限制功能,无需外部电流检测电阻
    • 自动同步整流(ASR)降低功耗。
  • 电气参数
    • 工作电压范围:5.0 V至35 V(绝对最大值40 V)。
    • 峰值输出电流:1.5 A,低MOSFET导通电阻(RDS(ON) 575 mΩ @25°C)。
    • 低功耗睡眠模式(1.5 µA @24 V)。
  • 配置选项
    • SPI版本(MCT8314ZS) ‌:通过5 MHz 16位SPI接口配置设备及故障状态。
    • 硬件版本(MCT8314ZH) ‌:通过硬件引脚配置。
  • 保护功能
    • 电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)。
    • 电机堵转保护、热警告/关断(OTW/OTSD)、故障指示引脚(nFAULT)。

2. 典型应用


3. 功能描述

  • 输出级
    • 集成3个半桥NMOS FET,总导通电阻575 mΩ,支持100%占空比。
  • 控制模式
    • 1x PWM模式:通过单PWM输入控制电机速度,支持同步/异步调制。
  • 接口选项
    • SPI接口‌:配置寄存器及读取诊断信息。
    • 硬件接口‌:通过电阻配置常用参数(如超前角、PWM模式)。
  • 保护机制
    • 过压保护(OVP)、过流保护(自动重试或锁存关断)、热关断(150°C阈值)。

4. 关键参数

  • 电流限制‌:通过外部电阻(RLIMIT)设置阈值,公式:RLIMIT = 9000 / ILIMIT。
  • 超前角配置‌:SPI版本支持0°~30°可调,硬件版本通过引脚电阻设置。
  • FG信号输出‌:可配置为换向频率的1x/3x分频,用于速度反馈。

5. 封装与布局

image.png

  • 封装‌:24引脚WQFN(3 mm × 3 mm),带散热焊盘。
  • 布局建议
    • 大容量电容靠近VM引脚以降低电压纹波。
    • 分离模拟地(AGND)与功率地(PGND),减少噪声耦合
    • 散热焊盘需焊接至PCB地平面以优化热性能。

6. 文档支持

  • 提供EVM评估模块、热计算工具及设计参考文档(如SLVA504功率耗散计算指南)。

*附件:mct8314z.pdf

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