Texas Instruments TPSM63603同步降压电源模块是一款结合了屏蔽电感器、功率MOSFET和无源元件的高度集成的36V、3A DC/DC解决方案。每个模块在封装角设有VIN 和VOUT 引脚。它们是为了优化输入和输出电容器的布局。模块下方具有四个较大的散热焊盘,可在制造过程中实现简单布局和轻松处理。
数据手册:
Texas Instruments TPSM63603的输出电压范围为1V至16V,设计用于在小尺寸内实现低EMI设计。该解决方案仅需四个外部元件,无需选择设计过程的磁性元件和补偿部分。
尽管TPSM63603模块是为了在空间受限应用中实现小尺寸和简单性,但它还提供了许多实现强大性能的功能。这些特性包括:用于可调输入电压UVLO的迟滞精密使能;用于改善EMI的电阻器可编程开关节点转换速度,集成V CC ,以及用于提高可靠性的自举和输入电容器。还包括更高密度;为增强负载瞬态性能在全负载电流范围内的恒定开关频率;以及用于测序、故障保护和输出电压监测的PGOOD指示器。
特性
- 多功能同步降压直流/直流模块
- 在全负荷范围内的超高效率
- 峰值效率:93%(12V
IN、5VOUT、1MHz时) - 用于提升效率的外部偏置选项
- 关断静态电流:0.6µA(典型值)
- 峰值效率:93%(12V
- 超低传导和辐射EMI特性
- 低噪声封装,具有双输入路径和集成电容器,可减少开关振铃
- 扩频调制(S后缀)
- 电阻器调节的开关节点压摆率
- 恒定频率FPWM工作模式
- 符合CISPR 11和32 B类发射要求
- 适用于可扩展电源
- 引脚兼容TPSM63602 (36V, 2A)
- 固有保护特性实现稳健设计
- 一个精密使能输入和开漏PGOOD指示灯,用于排序、控制和V
INUVLO - 过流和热关断保护
- 一个精密使能输入和开漏PGOOD指示灯,用于排序、控制和V
功能框图

TPSM63603高密度电源模块技术解析与应用指南
一、产品概述
TPSM63603是德州仪器(TI)推出的一款高集成度同步降压DC/DC电源模块,采用增强型HotRod™ QFN封装,尺寸仅为4mm×6mm×1.8mm。该模块集成了功率MOSFET、屏蔽电感、控制器及无源元件,提供完整的降压转换解决方案。
关键特性:
- 宽输入电压范围:3V至36V
- 可调输出电压:1V至16V
- 最大输出电流:3A
- 开关频率可调:200kHz至2.2MHz
- 峰值效率达93%(12V输入转5V输出时)
- 超低静态电流:关断时仅0.6μA(典型值)
二、核心功能解析
1. 集成化设计优势
TPSM63603的创新之处在于其高度集成的设计:
- 全集成功率级:包含上下管MOSFET、电感和补偿网络
- 简化布局:只需4个外部元件即可工作
- 优化引脚排列:VIN和VOUT引脚位于封装角落,便于电容布局
2. EMI优化特性
模块针对电磁干扰(EMI)进行了多项优化:
- 双输入路径设计:降低寄生电感,减少开关振铃
- 集成输入电容:提高可靠性并增加功率密度
- 可选扩展频谱调制(S后缀型号):降低峰值辐射
- 可调开关节点压摆率:通过RBOOT/CBOOT引脚配置
3. 保护功能
内置多重保护机制确保系统可靠性:
- 精密使能输入和开漏PGOOD指示
- 过流保护(OCP)与热关断(TSD)
- 输入欠压锁定(UVLO)
- 短路保护的打嗝模式
三、典型应用设计
1. 电路配置要点
输出电压设置:
通过外部电阻分压器RFBT和RFBB设置,公式为:
VOUT = VFB × (1 + RFBT/RFBB)
其中VFB典型值为1.0V,RFBB推荐值为10kΩ
开关频率设置:
通过RT引脚电阻(RRT)或外部SYNC信号调节:
- 200kHz-2.2MHz可调范围
- 使用RT引脚时,RRT=66.5kΩ对应200kHz,RRT=5.626kΩ对应2.2MHz
2. 外围元件选择
输入电容:
- 最小要求:2×4.7μF陶瓷电容
- 推荐50V耐压,X7R/X7S介质
- 布局时尽量靠近模块VIN引脚
输出电容:
- 最小有效电容要求取决于输出电压:
- 1V输出:400μF
- 3.3V输出:40μF
- 5V输出:25μF
- 建议使用多个陶瓷电容并联
3. 能效优化技巧
VLDOIN连接:
- 当VOUT>3.1V时,将VLDOIN连接至VOUT可显著提高效率
- 例如VIN=24V,VOUT=5V时,效率可提升约5%
散热设计:
- 四个大型散热焊盘位于模块底部
- 建议使用多层PCB并增加过孔散热
- 环境温度105°C下全负载工作需保证良好气流
四、应用实例
1. 工业用3A降压转换器
设计参数:
- 输入:24V
- 输出:5V/3A
- 开关频率:1MHz(RRT=13kΩ)
关键元件:
- 输入电容:2×4.7μF/50V陶瓷
- 输出电容:2×47μF/10V陶瓷
- 反馈电阻:RFBT=40.2kΩ,RFBB=10kΩ
性能指标:
- 峰值效率:91%
- 负载调整率:±1%
- 工作温度范围:-40°C至125°C
2. 反相降压-升压配置
设计参数:
- 输入:12-24V
- 输出:-5V/2A
- 开关频率:1MHz
设计要点:
五、布局指南
- 功率回路最小化:
- 保持VIN电容尽可能靠近模块引脚
- 使用短而宽的PCB走线
- 接地策略:
- AGND与PGND单点连接
- 避免敏感模拟地与功率地混合
- 热管理:
- 最大化底部散热焊盘铜面积
- 使用多个过孔连接至内部地层
- 反馈路径:
- 保持FB走线短且远离噪声源
- RFBT/RFBB尽量靠近FB引脚
六、选型建议
TPSM63603系列包含多个衍生型号:
- TPSM63603:基础可调输出型号
- TPSM63603S:带扩展频谱调制
- TPSM63603V3:固定3.3V输出
- TPSM63603V5:固定5V输出
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