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TPSM63603高密度电源模块技术解析与应用指南

科技观察员 2025-09-15 15:08 次阅读
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Texas Instruments TPSM63603同步降压电源模块是一款结合了屏蔽电感器、功率MOSFET和无源元件的高度集成的36V、3A DC/DC解决方案。每个模块在封装角设有VIN 和VOUT 引脚。它们是为了优化输入和输出电容器的布局。模块下方具有四个较大的散热焊盘,可在制造过程中实现简单布局和轻松处理。

数据手册:

*附件:TPSM63603数据手册.pdf

*附件:TPSM63603E数据手册.pdf

Texas Instruments TPSM63603的输出电压范围为1V至16V,设计用于在小尺寸内实现低EMI设计。该解决方案仅需四个外部元件,无需选择设计过程的磁性元件和补偿部分。

尽管TPSM63603模块是为了在空间受限应用中实现小尺寸和简单性,但它还提供了许多实现强大性能的功能。这些特性包括:用于可调输入电压UVLO的迟滞精密使能;用于改善EMI的电阻器编程开关节点转换速度,集成V CC ,以及用于提高可靠性的自举和输入电容器。还包括更高密度;为增强负载瞬态性能在全负载电流范围内的恒定开关频率;以及用于测序、故障保护和输出电压监测的PGOOD指示器。

特性

  • 多功能同步降压直流/直流模块
    • 集成MOSFET、电感器和控制器
    • 该器件具有3V至36V宽输入电压范围
    • 可调输出电压:1V至16V
    • 4mm × 6mm × 1.8mm包覆成型封装
    • 结温范围
      • TPSM63603 (–40°C至125°C)
      • TPSM63603E (–55°C至125°C)
    • 可通过RT引脚或外部同步信号在200kHz至2.2MHz范围内调节频率
    • 负输出电压应用功能
  • 在全负荷范围内的超高效率
    • 峰值效率:93%(12VIN 、5VOUT 、1MHz时)
    • 用于提升效率的外部偏置选项
    • 关断静态电流:0.6µA(典型值)
  • 超低传导和辐射EMI特性
    • 低噪声封装,具有双输入路径和集成电容器,可减少开关振铃
    • 扩频调制(S后缀)
    • 电阻器调节的开关节点压摆率
    • 恒定频率FPWM工作模式
    • 符合CISPR 11和32 B类发射要求
  • 适用于可扩展电源
    • 引脚兼容TPSM63602 (36V, 2A)
  • 固有保护特性实现稳健设计
    • 一个精密使能输入和开漏PGOOD指示灯,用于排序、控制和VIN UVLO
    • 过流和热关断保护

功能框图

1.png

TPSM63603高密度电源模块技术解析与应用指南

一、产品概述

TPSM63603是德州仪器(TI)推出的一款高集成度同步降压DC/DC电源模块,采用增强型HotRod™ QFN封装,尺寸仅为4mm×6mm×1.8mm。该模块集成了功率MOSFET、屏蔽电感、控制器及无源元件,提供完整的降压转换解决方案。

关键特性‌:

  • 宽输入电压范围:3V至36V
  • 可调输出电压:1V至16V
  • 最大输出电流:3A
  • 开关频率可调:200kHz至2.2MHz
  • 峰值效率达93%(12V输入转5V输出时)
  • 超低静态电流:关断时仅0.6μA(典型值)

二、核心功能解析

1. 集成化设计优势

TPSM63603的创新之处在于其高度集成的设计:

  • 全集成功率级‌:包含上下管MOSFET、电感和补偿网络
  • 简化布局‌:只需4个外部元件即可工作
  • 优化引脚排列‌:VIN和VOUT引脚位于封装角落,便于电容布局

2. EMI优化特性

模块针对电磁干扰(EMI)进行了多项优化:

  • 双输入路径设计‌:降低寄生电感,减少开关振铃
  • 集成输入电容‌:提高可靠性并增加功率密度
  • 可选扩展频谱调制‌(S后缀型号):降低峰值辐射
  • 可调开关节点压摆率‌:通过RBOOT/CBOOT引脚配置

3. 保护功能

内置多重保护机制确保系统可靠性:

  • 精密使能输入和开漏PGOOD指示
  • 过流保护(OCP)与热关断(TSD)
  • 输入欠压锁定(UVLO)
  • 短路保护的打嗝模式

三、典型应用设计

1. 电路配置要点

输出电压设置‌:
通过外部电阻分压器RFBT和RFBB设置,公式为:
VOUT = VFB × (1 + RFBT/RFBB)
其中VFB典型值为1.0V,RFBB推荐值为10kΩ

开关频率设置‌:
通过RT引脚电阻(RRT)或外部SYNC信号调节:

  • 200kHz-2.2MHz可调范围
  • 使用RT引脚时,RRT=66.5kΩ对应200kHz,RRT=5.626kΩ对应2.2MHz

2. 外围元件选择

输入电容‌:

  • 最小要求:2×4.7μF陶瓷电容
  • 推荐50V耐压,X7R/X7S介质
  • 布局时尽量靠近模块VIN引脚

输出电容‌:

  • 最小有效电容要求取决于输出电压:
    • 1V输出:400μF
    • 3.3V输出:40μF
    • 5V输出:25μF
  • 建议使用多个陶瓷电容并联

3. 能效优化技巧

VLDOIN连接‌:

  • 当VOUT>3.1V时,将VLDOIN连接至VOUT可显著提高效率
  • 例如VIN=24V,VOUT=5V时,效率可提升约5%

散热设计‌:

  • 四个大型散热焊盘位于模块底部
  • 建议使用多层PCB并增加过孔散热
  • 环境温度105°C下全负载工作需保证良好气流

四、应用实例

1. 工业用3A降压转换器

设计参数‌:

  • 输入:24V
  • 输出:5V/3A
  • 开关频率:1MHz(RRT=13kΩ)

关键元件‌:

  • 输入电容:2×4.7μF/50V陶瓷
  • 输出电容:2×47μF/10V陶瓷
  • 反馈电阻:RFBT=40.2kΩ,RFBB=10kΩ

性能指标‌:

  • 峰值效率:91%
  • 负载调整率:±1%
  • 工作温度范围:-40°C至125°C

2. 反相降压-升压配置

设计参数‌:

  • 输入:12-24V
  • 输出:-5V/2A
  • 开关频率:1MHz

设计要点‌:

  • 最大输出电流受占空比限制
  • 需注意输入电容耐压应大于VIN+|VOUT|
  • 可添加肖特基二极管抑制输入瞬态导致的输出尖峰

五、布局指南

  1. 功率回路最小化‌:
    • 保持VIN电容尽可能靠近模块引脚
    • 使用短而宽的PCB走线
  2. 接地策略‌:
    • AGND与PGND单点连接
    • 避免敏感模拟地与功率地混合
  3. 热管理‌:
    • 最大化底部散热焊盘铜面积
    • 使用多个过孔连接至内部地层
  4. 反馈路径‌:
    • 保持FB走线短且远离噪声源
    • RFBT/RFBB尽量靠近FB引脚

六、选型建议

TPSM63603系列包含多个衍生型号:

  • TPSM63603‌:基础可调输出型号
  • TPSM63603S‌:带扩展频谱调制
  • TPSM63603V3‌:固定3.3V输出
  • TPSM63603V5‌:固定5V输出

适用领域‌:

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