‌TPS7H3302-SP/TPS7H3302-SEP 辐射硬化DDR终端稳压器技术文档总结

该TPS7H3302是一款具有内置VTTREF缓冲器的耐辐射双倍数据速率（DDR）3-A终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录仪和有效载荷处理等空间 DDR 终端应用提供完整、紧凑、低噪声的解决方案。

该TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。TPS7H3302 VTT 稳压器的快速瞬态响应允许在读/写条件下提供非常稳定的电源。该TPS7H3302还包括一个内置的 VTTREF 电源，可跟踪 VTT 以进一步减小解决方案尺寸。为了实现简单的电源排序，使能输入和电源良好输出 （PGOOD） 都集成到TPS7H3302中。使能信号还可用于在挂起至 RAM （S3） 掉电模式下对 VTT 进行放电。
*附件：tps7h3302-sep.pdf

特性

• 提供 QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图 （SMD），5962R14228
• 提供空间增强塑料供应商项目图纸，VID V62/22615
• 表征的总电离剂量 （TID）
  • 辐射硬度保证 （RHA） 合格，总电离剂量 （TID） 100 krad（Si） 或 50 krad（Si）
• 单事件效应 （SEE） 表征
  • 单事件闩锁 （SEL）、单事件栅极破裂 （SEGR）、单事件烧毁 （SEB） 免疫高达 LET = 70 MeV-cm2 /mg
  • 单事件瞬态 （SET）、单事件功能中断 （SEFI） 和单事件扰动 （SEU），表征高达 70 MeVcm2 /mg
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
• 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
• 低至 0.9 V 的独立低压输入 （VLDOIN） 可提高电源效率
• 3-A 灌电流和源端接稳压器
• 为电源排序启用输入和电源良好输出
• VTT端接稳压器
  • 输出电压范围：0.5 至 1.75 V
  • 3A 灌电流和源电流
• 带检测输入的集成精密分压器网络
• 遥感 （VTTSNS）
• VTTREF 缓冲引用
  • VDDQSNS 精度为 49% 至 51% （±3 mA）
  • ±10 mA 灌电流和源电流
• 集成欠压锁定 （UVLO） 和过流限制 （OCL） 功能
• 塑料包装

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌辐射防护‌
  • 总电离剂量（TID）耐受：100 krad(Si)（SP版）/50 krad(Si)（SEP版）
  • 单粒子效应（SEE）免疫：包括闩锁（SEL）、栅极击穿（SEGR）、烧毁（SEB）等，LET阈值达70 MeV·cm²/mg。
• ‌电气性能‌
  • 支持DDR1至DDR4终端应用，输入电压范围2.5V/3.3V，VLDOIN低至0.9V以提升能效。
  • 3A源/吸电流能力，集成精密分压网络与远程感应（VTTSNS）。
  • 内置VTTREF缓冲参考电压（精度±1%），支持快速瞬态响应。

‌2. 关键功能模块‌

• ‌VTT稳压器‌
  • 输出电压范围0.5V~1.75V，通过VTTSNS引脚实现远程负载点调节。
  • 集成使能（EN）和电源良好（PGOOD）信号，支持电源时序控制。
• ‌VTTREF参考输出‌
  • 跟踪VDDQSNS的50%，提供±10mA驱动能力，需外接0.1μF陶瓷电容。
• ‌保护机制‌
  • 欠压锁定（UVLO）、过流限制（OCL）及热关断（210°C触发）。

‌3. 应用场景‌

• ‌航天电子系统‌
  • 卫星电源（EPS）、指令数据处理（C&DH）、光学/雷达成像载荷。
• ‌DDR终端设计‌
  • 适用于单板计算机、固态记录器及空间DDR内存终端（如DDR3L/DDR4）。

‌4. 设计要点‌

• ‌布局建议‌
  • 输入/输出电容需贴近引脚以降低ESR/ESL影响，VTTSNS需独立走线至负载端。
  • 热焊盘需通过多通孔连接至内部地平面以优化散热。
• ‌电源配置‌
  • 推荐VLDOIN与VDDQ隔离，或使用RC滤波减少瞬态干扰。
  • 最小输出电容470μF（组合钽电容与MLCC），确保稳定性。

‌5. 封装与型号‌

• ‌封装‌：32引脚HTSSOP带散热焊盘（6.1mm×11mm，0.184g）。
• ‌型号选项‌
  • ‌TPS7H3302-SP‌：QMLP-RHA认证，100 krad(Si)耐受。
  • ‌TPS7H3302-SEP‌：航天增强塑料封装，50 krad(Si)耐受。