Texas Instruments TPS7H3302EVM评估模块设计 用于评估TPS7H3302-SEP 抗辐射3A DDR 终端稳压器的性能。TPS7H3302EVM评估模块的工作输出电流高达3A,支持测试DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。该评估模块配有方便的测试点和跳线,用于评估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM评估模块非常适合用于抗辐射DDR电源应用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存储器终端稳压器。
数据手册:*附件:Texas Instruments TPS7H3302EVM评估模块数据手册.pdf
特性
- 支持测试DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4
- 内置瞬态负载测试电路
- 输入内核电压V
DD支持2.5V电源轨和3.3V电源轨 - V
LDOIN和VDDQ电压范围:0.9V至3.5V - 动态性能评估特性:
- 跳线J14(引脚1和2),用于器件使能(无需安装J14即启用)
- 方便的测试点,用于探测PGOOD、CLK_IN和环路响应测试
- 不使用独立V
DDQSNS源时,用于VDDQSNS至VLDOIN滤波器的可选预留位置 - 高达3A输出电流
- 方便的测试点和跳线,用于评估TPS7H3302-SEP DDR端子
模块俯视图

示意图

TPS7H3302EVM评估模块技术解析
一、产品概述
TPS7H3302EVM是德州仪器(TI)推出的DDR终端稳压器评估模块,用于评估TPS7H3302-SEP的性能特性。该器件是一款3A吸/源DDR终端LDO稳压器,专为空间级DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4内存终端应用设计。
核心特性
- 辐射耐受设计:满足空间应用严苛环境要求
- 宽工作范围:支持0.9V至3.5V输入电压
- 高精度输出:VTT输出电压精度达VDDQSNS的1/2
- 快速瞬态响应:优化DDR读写操作稳定性
- 集成保护功能:包含使能控制(EN)和电源良好指示(PGOOD)
二、关键电路设计
1. 电源架构
模块采用多电源输入设计:
- VIN (2.375-3.5V):核心电源,电流<100mA
- VLDOIN (0.9-3.5V):主功率输入,支持3A持续电流
- VDDQSNS (1.2-3.5V):参考电压输入
独特设计:通过J5跳线可选VLDOIN与VDDQSNS连接方案,平衡功耗与性能需求。
2. 瞬态测试电路
评估板集成创新瞬态负载开关:
- 可配置负载阶跃(通过R6-R9,R17-R20电阻调整)
- 支持±1.875A(DDR3)瞬态测试
- 独立源/沉负载选择跳线(J14/J15)
三、性能参数
电气规格
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VIN范围 | - | 2.375 | 3.3 | 3.5 | V |
| VLDOIN范围 | - | 0.9 | 1.25 | 3.5 | V |
| VTT输出电流 | DDR3 | -3 | - | 3 | A |
| VTTREF电流 | - | -10 | - | 10 | mA |
典型应用表现
- 相位裕度:>60°(负载500mA-3A全范围)
- 建立时间:<1μs(1.875A负载阶跃)
- 跟踪误差:<20mV(VTT与VTTREF偏差)
四、评估指南
1. 基础测试配置
- 连接VIN(3V)、VLDOIN(1.5V)
- 设置VDDQSNS=1.5V(DDR3)
- 通过J10监测VTT输出电压
- 使用J11/J12接入负载
注意事项:
- 默认配置支持DDR3 ±1.875A测试
- 需调整R6-R9电阻值适配不同DDR标准
2. 波特图测试
- 使用Bode 100环路分析仪
- 注入点:TP4(VTTSNS)
- 检测点:TP5(反馈节点)
- 测试频率范围:100Hz-1MHz
关键发现:
- 负载电流增加时增益裕度保持>10dB
- 建议输出配置4x4.7μF陶瓷电容优化稳定性
五、应用设计建议
PCB布局要点
- 功率路径:
- 使用≥1mm线宽(1oz铜)
- VIN/VLDOIN去耦电容贴近引脚(<3mm)
- 热管理:
- HTSSOP封装RθJA=45.1°C/W(2层板)
- 建议4层板设计提升散热能力
系统集成
- 使能时序:通过EN引脚控制VTT放电
- 故障监测:PGOOD开漏输出支持多器件并联监测
- VTTREF滤波:可选R4/C3组成RC滤波器(C3=1μF)
六、典型应用场景
- 空间电子系统
- 星载计算机内存电源
- 航天器数据记录装置
- 高可靠计算
- 加固型服务器内存模块
- 军工级处理平台
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