GB/T 42968.2-2024《集成电路电磁抗扰度测量 第2部分:辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法》国家标准于2024年10月26日发布,并自同日起实施。该标准旨在为集成电路的电磁兼容性测试提供指导,特别是针对辐射抗扰度的评估。通过使用TEM(横电磁波)小室进行测量,可以有效的评价半导体器件在特定电磁环境下的稳定性和可靠性。
华瑞高出品的HTM-3A TEM小室将工作频率范围扩展到现有设备之外,同时允许对集成电路进行高达 3GHz频率的辐射发射和抗扰度测试。将半导体芯片安装在固定到位的测试夹具板上,安装好后,可以根据GB/T 42968.2、IEC61967-2和IEC61967-8、SAE1752-3和IEC62132-8进行3GHz的测量。它配置为可容纳IEC61967-2中规定的标准100mm x 100mm的测试夹具板,华瑞高的HTM-3A TEM小室可以完美的替代美国FCC的FCC-TEM-JM7D。
华瑞高的HTM-3A TEM小室可用于辐射发射和抗扰度测试,需要不到1毫瓦的输入功率即可实现每米10V的电场,需要大约8瓦的输入功率即可实现每米1000V的电场。
深圳市华瑞高电子技术有限公司作为一家电磁兼容设备校准装置的生产厂家,我们有着相关丰富的电磁兼容测试校准经验,对于电磁兼容的测试设备和测试规范的理解也比较深刻,欢迎一同沟通交流!
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半导体电磁兼容测试的必备装备---TEM小室
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