Texas Instruments MSPM0L130x/MSPM0L130x-Q1 Arm^®^ Cortex ^®^ -M0微控制器 (MCU) 是MSP高度集成的超低功耗32位MSPM0 MCU系列。这些器件基于增强型ARM Cortex-M0+内核平台，工作频率高达32MHz。这些优化成本MCU集成了高性能模拟外设，支持从-40°C到125°C的扩展温度范围，并可在1.62V到3.6V的电源电压下工作。

数据手册：

MSPM0L130x/MSPM0L130x-Q1器件提供高达 64KB的嵌入式闪存程序存储器以及高达4KB的SRAM。这些MCU采用高速片上振荡器，精度高达±1.2%，无需外部晶体。其他特性包括一个3通道DMA、16位和32位CRC加速器以及各种高性能模拟外设，例如一个带可配置内部电压基准的12位1.68MSPS ADC和一个带内置基准DAC的高速比较器。该器件包括两个具有可编程增益的零漂移零交叉运算放大器、一个通用放大器和一个片上温度传感器。此系列器件提供智能数字外设，如四个16位通用定时器、一个窗口式看门狗定时器和各种通信外设，包括两个UART、一个SPI和两个I^2^C。这些通信外设为LIN、IrDA、DALI、Manchester、Smart Card、SMBus和PmBus提供协议支持。

MSPM0L130x/MSPM0L130x-Q1系列低功耗MCU由不同程度的模拟和数字集成器件组成，客户可以找到满足其项目需求的MCU。这种架构结合了多种低功耗模式，经过优化能够延长便携式测量应用中的电池使用寿命。MSPM0L130x-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

特性

内核
- Arm 32位Cortex-M0+ CPU，频率高达32MHz
工作特性
- 扩展温度范围：-40 °C至125 °C
- 宽电源电压范围：1.62 V至3.6 V
存储器
- 高达64KB闪存
- 高达4KB SRAM
高性能模拟外设
- 一个12位1.68Msps模数转换器(ADC)，总共有10条外部通道
- 可配置的1.4V或2.5V内部ADC电压基准(VREF)
- 两个零漂移、零交叉斩波运算放大器 (OPA)
  - 0.5µV/°C漂移，具有斩波
  - 6pA输入偏置电流（仅限MSPM0L134x）
- 集成可编程增益级(1-32x)
- 一个通用放大器(GPAMP)
- 一个具有8位基准DAC的高速比较器(COMP)
  - 32ns传播延迟
  - 低至<>
- ADC、OPA、COMP和DAC之间的可编程模拟连接
- 集成式温度传感器
优化的低功耗模式
- 运行：71° A/MHz (CoreMark)
- 停止：151µA（4MHz时）和44µA（32kHz时）
- 待机：32kHz 16位计时器运行时为1.0µA，SRAM/寄存器完全保留，32MHz时钟唤醒时间为 3.2µs
- 关断：61nA,具有IO唤醒功能
智能数字外设
- 3通道DMA控制器
- 3通道事件结构信号传输系统
- 四个16位通用定时器，每个定时器都有两个捕捉/比较寄存器，支持待机模式下的低功耗运行，总共支持八个PWM通道
- 窗口看门狗计时器
增强型通信接口
- 两个UART接口；一个支持LIN、IrDA、DALI、Smart Card、Manchester，两个接口均支持待机低功耗运行
- 两个I^2^C接口；一个支持FM+ (1Mbit/s)，两者均支持SMBus、PMBus以及从停止状态唤醒
- 一个SPI，支持高达16Mbit/s
时钟系统
- 内部4MHz至32MHz振荡器，精度为±1.2%(SYSOSC)
- 内部32kHz低频振荡器，精度为±3%(LFOSC)
数据完整性
- 循环冗余校验器 (CRC-16或CRC-32)
灵活的I/O特性
- 多达28个GPIO
- 两个具有失效防护保护功能的5V容限开漏
开发支持
- 2引脚串行线调试 (SWD)
封装选项
- 32引脚 VQFN (RHB)
- 28引脚VSSOP (DGS)
- 24引脚 VQFN (RGE)
- 20引脚VSSOP (DGS)
- 16引脚SOT (DYY), WQFN（RTR）（即将推出WQFN封装）
系列成员
- MSPM0L13x3：8KB闪存、2KB RAM
- MSPM0L13x4：16KB闪存、2KB RAM
- MSPM0L13x5：32KB闪存、4KB RAM
- MSPM0L13x6：64KB闪存、4KB RAM
开发套件和软件
- LP-MSPM0L1306LaunchPad™开发套件
- MSP软件开发套件 (SDK)