罗姆新一代MOSFET助力AI服务器与工业电源的能效优化

为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。同时，随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升，特别是配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，导致效率与大电流需求矛盾加剧。因此，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。

这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），其电源单元中多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。更重要的是，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的MOSFET，以防止浪涌电流和过载时造成损坏。

针对这一趋势和挑战，罗姆推出多款产品，涵盖高性能MOSFET与GaN器件等解决方案，为AI服务器、工业设备及消费电子等领域提供了高效可靠的功率管理新选择。本文将为各位工程师介绍罗姆推出的3款新品，更多内容您可点击下载罗姆功率半导体产品概要白皮书查看。

AI服务器与工业电源的能效优化

新一代MOSFET的实践探索

1100V耐压的功率MOSFET“RY7P250BM”

RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。

产品特点

更宽SOA范围

更低导通电阻

产品阵容

2适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。

这些产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，非常有助于提高服务器电源电路的效率。

产品阵容

关于EcoMOS品牌

EcoMOS是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。

· EcoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

GaN 技术调整电源架构

从效率到体积的多维提升

1小型、高散热TOLL封装650V耐压GaN HEMT

GNP2070TD-Z在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输出电容相关的器件性能指标（RDS(ON)×QOSS）方面，数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。

产品阵容

同时，本产品已被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服务器电源采用。

关于EcoGaN品牌

EcoGaN是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

· EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。