实锤！美光中国区业务调整！官方停止移动NAND开发

电子发烧友网综合报道，据业内可靠消息称，近日美光Micron中国区进行了业务调整。但并非网传的“波及上海、深圳等地，以及嵌入式研发骨干、测试工程师及FAE/AE等关键技术部门”。不过，业界认为，此次业务调整或为美光在华业务持续收缩的重要信号。

针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应表示：

鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他 NAND 机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5的开发。

此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作，美光将继续开发并支持其他 NAND 解决方案，如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。美光还将继续在全球范围内开发和支持移动 DRAM 市场，并提供业界领先的 DRAM 产品组合。

移动端业务表现

美光公布的FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)业绩显示，该季营收93亿美元，环比增长15%，同比增长37%；Non-GAAP下，营业利润24.9亿美元，营业利润率由上季度的24.9%回升至26.8%；净利润21.81亿美元，环比增长22.3%，同比增长210.7%。

FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)美光营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中HBM 营收环比增长近 50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025财年有望实现创纪录的营收。

DRAM收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%，DRAM ASP环比下降低个位数百分比（1%-3%）。NAND收入21.55亿美元，占总收入的23%，环比增长16.2%。NAND Bit出货量环比增长约25%，NAND ASP环比下降高个位数百分比（7%-9%）。

美光Mobile（MBU）营收15.51亿美元，环比增长45%；源于客户库存水平下降以及DRAM单机容量提升带来的强劲需求。

美光预计2025年，智能手机出货量将保持低个位数增长。人工智能的普及仍然是智能手机DRAM容量增长的关键驱动力，预计将有更多智能手机搭载12GB或更大的容量，而目前普通智能手机的容量仅为8GB。

美光专注于为高端智能手机市场提供解决方案，在LPDDR5X DRAM产品中采用领先的1-beta和1-gamma技术节点，以及利用G8和G9技术节点生产的UFS4 NAND产品。美光赢得了关键客户的设计订单，并实现了基于G9的UFS4产品的量产。

从财务数据来看，美光2024财年在中国大陆（不含香港）的收入占比已降至12.1%。此前，美光表示，“中国是美光全球业务的重要组成部分。我们深知，中国不仅是全球最大的市场之一，更是创新和技术发展的重要引擎。在投资中国的20多年，美光从研发、设计、制造和技术支持方面全链条服务中国，助力中国建设半导体生态系统。”

美光用于移动端推出UFS4.1

美光在今年宣布推出全球首款用于行动装置的基于G9 NAND的UFS 4.1 和 UFS 3.1。作为 NAND 技术的最新创新，G9 节点旨在为所有储存解决方案带来峰值效能和容量优势。



美光G9 NAND行动 UFS 4.1 解决方案具有领先的效能和创新性，可为旗舰智能型手机带来更快、反应更灵敏的体验。 其循序读取和写入速度超过 4100MBps。G9 UFS 4.1 与其前代产品 G8 UFS 4.0 相比，性能提升显著。



由大型语言模型（LLM）驱动的AI应用，例如虚拟助理理解用户意思、实时图片编辑、语言翻译等，最终都需要强大的多模态AI来实现。那么智能型手机需要快速存取大型资料集，实现更低的延迟、更快的反应时间，以及更流畅的终端使用者整体体验。

美光G9工艺 UFS4.1/3.1 存储芯片已经开始出货，专为智能手机设计，支持 AI 功能并提供256GB-1TB的容量。

眼下UFS4.0、4.1逐渐应用于智能手机，三星电子、铠侠也纷纷发力。其中，三星于早前发布的UFS 4.0产品，速度高达每通道 23.2 千兆比特每秒 (Gbps)，相当于上一代UFS 解决方案 (UFS 3.1) 的两倍。UFS 4.0 可轻松支持需要执行大量数据处理（例如，高分辨率图像和大容量移动游戏）的5G智能手机，以及车载和 AR/VR 应用。

三星UFS 4.0 采用三星第 7 代 V-NAND 和专有控制器，将实现 4,200 兆字节每秒 (MB/s) 的顺序读取速度和 2,800 MB/s 的顺序写入速度，分别是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。三星UFS 4.0 每毫安 (mA) 电力可提供高达 6.0 MB/s 的顺序读取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同电池容量下让智能手机获得更长续航时间。

三星在 2023 年推出了其首个 QLC UFS 产品，通过加入全新的写入加速技术(TW)和 HID 技术并且从纵向发力，不断优化主机系统，提升用户应用水平使 QLC 产品在实际工作中表现稳定，给用户带来优异的性能。



三星也在研发一款新产品，使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路。同时，积极参与 UFS 5.0 标准的讨论。与移动客户、AP 公司共同促进 UFS 4.0 4 通道和 UFS 5.0 的合作。计划在2025 年量产一款UFS 4通道产品，将两个UFS 控制器封装在一起。



三星表示，我们将通过概念验证共同界定相关用例、开发新技术、以及实施三方协作模式，将尽早完成 UFS 5.0 标准的制定工作。




铠侠表示，UFS4.0/4.1为下一代智能手机和移动应用提供闪电般快速的存储传输速度，使它们能够充分利用5G移动网络的高速率及AI。UFS4.0/4.1采用MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5和UniPro2.0技术，支持每条通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度。UFS4.0/4.1能够兼容UFS 3.1，这意味着现有平台可以使用UFS4.0/4.1的最新一代闪存存储技术，同时还能保留UFS 3.1的所有功能。与UFS 3.1相比，UFS 4.0/4.1具有更快的接口、更高的读写性能。





相较于上一代产品，UFS 4.0/4.1产品的顺序读写性能分别提高了约100%和135/150%。为提高下载速度、高清视频录制存储速度以及移动游戏的运行速度，UFS产品采用了WriteBooster技术来提升顺序写入速度。

此外，为了更好地满足不断变化的需求，铠侠计划明年发布下一代 UFS5.0 产品。

小结：

受益于HBM的强劲增长和份额提升，以及美光行业领先的高容量DIMM和低功耗服务器DRAM产品组合的强劲表现，美光第三财季数据中心DRAM收入连续第四个季度创下新高。美光预计，2025年行业DRAM bit需求增长率将约达17-19%，而行业NAND bit需求增长率约达11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供应增长率将低于行业bit需求增长率。

随着此次业务调整，美光在移动NAND产品的开发，包括终止UFS5的开发，专注于其他 NAND 解决方案，对后续行业竞争格局带来哪些影响，我们将持续关注。