TPS6612x 包含集成的 4V 至 22V 灌电源路径。电源路径支持过热和反向电流保护。VBUS具有过压保护,其电平由可选的外部电阻分压器设置。如果不需要过压保护,可以通过将 OVP 端子接地来禁用它。TPS6612x 支持指示过热事件的故障引脚。
TPS6612x 系列还支持高压 VBUS LDO 稳压器(每种器件类型 3.3V 或 5V),可用于在电池没电条件下运行时为器件和其他系统组件供电。TPS66120调节至 3.3 V,TPS66121调节至 5 V。
*附件:tps66121.pdf
特性
- 集成 22 mΩ(典型值)、32V 容差 NFET 4V 至 22V 灌电流路径,高达 5 A
- 内置软启动以限制浪涌电流
- 集成高压VBUS LDO稳压器(每种器件类型3.3V或5.0V)
- 通过引脚配置可选的 VBUS 过压保护。
- 系统电源和 VBUS 欠压保护
- 过温保护
- 反向电流保护
- 具有去毛刺故障报告功能的故障引脚
- 占地面积小的 WCSP 封装,无需 HDI。
参数

方框图
1. 产品概述
- 型号:TPS66120(输出3.3V)、TPS66121(输出5V),均为集成高压Sink路径与VBUS LDO的电源管理芯片。
- 核心特性:
2. 关键功能
- 电源路径管理:
- 自动切换VIN与VBUS电源输入,优先使用VIN,VIN失效时启用VBUS LDO。
- 支持无缝切换,VLDO输出可为外部设备(如PD控制器)供电。
- 保护机制:
- OVP:通过外部电阻分压设置VBUS过压阈值(如6V/10V/16.5V/22.6V),或禁用(OVP引脚接地)。
- RCP:检测PPHV至VBUS反向电流,阈值2-10mV,触发后自动禁用路径。
- TSD:PPHV路径独立过温保护(128-172°C)及全局过温保护(140-178°C)。
- 故障指示:开漏FLT引脚报告OVP、TSD事件,持续至少4ms。
3. 典型应用
- 场景:笔记本、台式机、扩展坞、Type-C适配器等USB PD设备。
- 设计示例:
- 单端口Type-C PD:VBUS通过TPS6612x为系统充电,VBUS LDO为PD控制器供电(图17)。
- 无电池支持:VBUS LDO在VIN失效时维持系统运行,直至VIN恢复。
4. 电气参数
- 工作条件:
- VIN范围:TPS66120(2.85-3.6V)、TPS66121(4.5-5.5V)。
- VBUS范围:4-22V(PPHV启用时),32V耐压(禁用时)。
- 功耗:
- 静态电流:VIN典型19-36µA(禁用状态),SNK状态130-377µA(含VBUS电流)。
5. 布局与选型建议
- 电容配置:
- VLDO:4.7µF(10V)陶瓷电容,靠近引脚。
- VBUS/PPHV:系统侧建议47-100µF,TVS保护推荐TVS2200(28.3V钳位)。
- OVP设置:动态调整需配合PD控制器GPIO选择分压电阻(图7)。
6. 修订与支持
总结:TPS6612x系列是高集成度电源管理方案,适用于USB PD场景,兼具高效Sink路径与灵活电源冗余,通过多重保护机制提升系统可靠性。
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