该TPS5420是一款高输出电流PWM转换器,集成了低电阻高侧N沟道MOSFET。在具有上述特性的基板上包括一个高性能电压误差放大器,可在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;欠压锁定电路,用于防止启动,直到输入电压达到 5.5V;内部设置的慢启动电路,以限制浪涌电流;以及用于改善瞬态响应的电压前馈电路。使用ENA引脚,关断电源电流通常降低至18μA。其他功能包括高电平有效使能、过流限制、过压保护和热关断。为了降低设计复杂性和外部元件数量,TPS5420反馈环路经过内部补偿。
*附件:tps5420.pdf
TPS5420器件采用易于使用的8引脚SOIC封装。TI 提供评估模块和 Designer 软件工具,以帮助快速实现高性能电源设计,以满足紧迫的设备开发周期。
特性
- 宽输入电压范围:5.5V至36V
- 高达 2A 的连续(3A 峰值)输出电流
- 通过110mΩ集成MOSFET开关实现高达95%的高效
- 宽输出电压范围:可调至1.22V,初始精度为1.5%
- 内部补偿可最大限度地减少外部器件数量
- 固定的500kHz开关频率,适用于小滤波器尺寸
- 通过输入电压前馈改进线路调节和瞬态响应
- 系统受过流限制、过压保护和热关断保护
- –40°C 至 125°C 工作结温范围
- 采用小型8引脚SOIC封装
参数
方框图

1. 核心特性
- 输入电压范围:5.5V至36V,支持宽电压应用场景。
- 输出能力:最大2A连续输出电流(峰值3A),效率高达95%(集成110mΩ MOSFET开关)。
- 输出电压精度:可调低至1.22V,初始精度±1.5%。
- 开关频率:固定500kHz,优化滤波器尺寸。
- 保护功能:过流限制、过压保护、热关断及-40°C至125°C工作结温范围。
2. 关键应用领域
3. 内部架构与功能
- 集成模块:低阻N沟道MOSFET、高精度误差放大器、欠压锁定(UVLO)、慢启动电路、电压前馈电路。
- 控制特性:
- ENA引脚:启用/禁用控制(阈值0.5V),关机电流低至18μA。
- 内部补偿:减少外部元件数量,简化设计。
- PWM控制:电压前馈改善瞬态响应,固定频率调制。
4. 保护机制
- 过流保护:逐周期限流与打嗝模式(hiccup)双重机制。
- 过压保护:VSENSE超过112.5%基准电压时强制关闭MOSFET。
- 热关断:结温超阈值时关闭输出,降温后自动恢复。
5. 设计要点
- 输入电容:推荐4.7μF以上低ESR陶瓷电容,靠近VIN引脚布局。
- 输出滤波:电感值10–100μH(典型33μH),电容需满足LC谐振频率≤7kHz(陶瓷电容需额外补偿)。
- 反馈网络:R1=10kΩ,R2按公式
R2 = R1 × 1.221 / (VOUT - 1.221)计算。 - PCB布局:最小化高频回路面积,PH节点布线紧凑,接地层直接连接GND引脚。
6. 性能图表与实测数据
- 效率曲线:12V输入时效率达90%以上(2A负载)。
- 瞬态响应:0.5A→1.5A阶跃负载下恢复时间<200μs。
- 热性能:结至环境热阻75°C/W(定制板)。
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