中芯7纳米面临较长更新换代周期

中芯国际、华力微、长江存储今年将纷纷启动进入1X奈米以下工艺技术的“深水区”，中芯国际明年上半年14纳米FinFET将风险试产，并推进7 纳米研发进程；上海华力Fab6未来也将成为14纳米量产重要基地；长江存储今年首颗国内自主研发闪存芯片也将迈入量产，未来数月将进入密集装机期。

据外媒报导，中芯国际已经订购了一台EUV设备，首台EUV设备购自ASML，价值近1.2亿美元。EUV是当前半导体产业中最先进也最昂贵的芯片制造设备，全球仅一家荷兰设备商ASML供应。

EUV是未来1X纳米继续走向1X纳米以下的关键光刻机，前包括英特尔、三星、台积电等巨头都在争抢购买该设备。设备供应商ASML曾表示，一台EUV从下单到正式交货约长达22个月，若以中芯目前订购来看，按正常交期也要2020年年初左右才能到货。

中芯7纳米面临较长更新换代周期

按照中芯国际的技术蓝图规划，2019年上半年肩负14纳米FinFET将风险试产任务，若2020年顺利取得EUV，将可进一步向前推进至7纳米。而目前研发团队最高负责人、中芯国际联席CEO梁孟松则扮演先进技术蓝图规划的推手。

尽管中芯目前在制造工艺上仍落后于台积电等市场领导者两到三代，但此举已经突显了中芯在研发团队重整旗鼓之后的雄心，此时下单EUV也属正当其时。

不过下单归下单，未来技术挑战仍拥有几大内外变数考验，一是先进高端设备的进口能否顺利进入中国；二是设备启动的上海能否给予充足的电力供给；三是顺利装机之后设备的调试与良率，毕竟从浸润式光刻机，改成EUV系统，不是一个世代的跨越这么简单，而对中芯国际研发先期量产团队来说全然陌生，涉及到光刻胶、掩膜、pellicle、检测等全环节的良率提升，相对来说，更新换代的学习周期会较长。

半导体行业专家莫大康则分析认为，中芯有钱提前布局7nm是件好事，对于中芯来说，要从人员培训开始，未来要待中芯能做7nm可能至少还需5年以上时间，仍有很多挑战需要克服。

日前，中芯国际财报显示，今年将全年资本支出从19亿美元上调至23亿美元，用于先进制程的研发、设备开支以及扩充产能。显示未来将加强先进工艺技术的布局。

上海华力Fab6进入密集装机期

值得注意的是，同样也在紧追1X奈米工艺技术的华力上海Fab6也正式搬入的首台ASML NXT 1980Di光刻机。这台光刻机是目前中国集成电路生产线上最先进的浸没式光刻机。

华力表示，Fab6主厂房完成净化装修，相关配套机电设备准备就绪，具备了工艺设备搬入条件，较原计划进度提前1个半月，仅约16个半月。

根据华虹集团的规划，Fab6总投资387亿元人民币，建成后月产能将达4万片12吋晶圆，工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底建成达产，主要投入逻辑芯片量产。

在接下来的五个月内，华虹Fab6工艺设备将集中搬入，并完成安装调试，年底前完成生产线串线并实现试流片。

长江存储自主闪存芯片进入量产考验

无独有偶，长江存储的首台光刻机也已运抵武汉天河机场，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元用于14nm~20nm工艺，陆续还会有多台运抵。

长江存储主要攻关3D NAND闪存芯片工艺量产，计划共建三座3D-NAND Flash厂房。总投资240亿美元，其中，第一阶段的厂房已去年9月完成建设，计划2018年投产，2020年形成月产能30万片的规模。

回顾长江存储发展3D NAND闪存的历程：2014年与中科院微电子所启动双方3D NAND合作项目；2015年，完成了9层结构的3D NAND测试芯片，实现了电学性能验证；2016年，实现了32层测试芯片研发及验证，注资240亿美元建设国家存储器基地；2017年，测试芯片良率大幅提升，并实现了首款芯片的流片；2018年，即将开始了3D NAND存储芯片生产线试产。

日前紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是透露，长江存储的3D NAND Flash已经获得第一笔订单。明年，长江存储力争64层堆叠3D闪存实现规模量产，单颗容量128Gb(16GB)，与世界领先水平差距缩短到2年之内。