

凌小磁最近发觉了一个被掩盖的真相——为什么实测电压总"缩水"。 在EMC实验室里,经常听到工程师这样的吐槽:"为什么厂商宣传的最大200V纹波电压,接上DUT后连150V都达不到?" 这个行业普遍存在的"参数游戏",本质上源于测试设备厂商在玩"空载电压"的数字魔术。 当厂商说"最大输出电压200V"时,这个数字往往是在零电流空载状态下测得的理论值。就像CPU的TDP参数需要结合散热条件才有意义一样,测试设备的电压参数必须关联负载阻抗才有工程价值。我们实测发现,当接入典型汽车电池包(0.1Ω阻抗)时,某些设备的实际输出电压可能骤降至标称值的60%!
这种空载时的最大电压值参数没有什么意义和价值。而今天,我们将一起从技术角度来分析和探究。

为了将直流与交流耦合在一起,需要一个耦合/去耦网络,该网络由耦合变压器和退耦电容组合而成;在高频战场,该网络的阻抗不可忽视。 高频战场:阻抗分配的"电压争夺战" 耦合网络本质上是个"阻抗战场":功放输出的交流纹波,通过该网络注入到DUT端。功放连接到该耦合变压器前级的线缆、变压器本身、耦合变压器后级连接到DUT的线缆都拥有阻抗。将其视为一个电感,其感抗公式为:XL=2πfL。这个公式表明,频率越高,它的感抗越高,同时由于集肤效应,会进一步增大该值。这里把该网络的阻抗称为杂散阻抗Z杂散。 那什么是集肤效应呢?简单来说就是高频下,导体的有效截面积减小,导致等效电感量增加。 此时接入DUT后,DUT的阻抗ZDUT就需要和这些杂散阻抗“抢夺电压”。我们可以简单的使用公式来进行描述——

这个公式表明—— DUT的阻抗越小,越难以达到厂商宣传的空载时的最大电压Vmax 典型的,对于整车厂来说,作为DUT的电池包的电阻ZDUT仅有约0.1Ω,那么此时Z杂散就会对测试造成极大的影响。 说完高频,我们接着来讲讲低频。 低频陷阱:铜损带来的"功率黑洞" 低频时,变压器将会化身“能量杀手”。因为在低频下,变压器的阻抗极低,根据热效率公式——

可知,变压器的阻抗越低,其发热越高,及铜损越大。 这会影响变压器前级与变压器后级的传导效率。
审核编辑 黄宇
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