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分享高压大流High Power 探针卡特性

jf_48270530 来源:jf_48270530 作者:jf_48270530 2025-06-27 18:04 次阅读
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一 , High Power 高压大电流探针卡的介绍

1)High Power Device 有:

MOSFETs

DIODEs

IGBTs

PMICs

2)高压等级可以达到; High Voltage/Current:30KV/15KA

二 , 该种高压大流探针卡使用特性有:

1)当晶圆测试时,需要单DIE均匀加载电压或电流,并保持高压强度和大流能力.

​2)为了更好质量,会模块前Full DIE 测试.

参数特性

Items Specification
Devices IGBTs、 MOSFETs PMICs 、 SiC&GaN Chips et…
Rated Voltage 30KV
Rated Current 200A , (bespoke products TBD)
Cres Normal < 2 Ohm,  (bespoke products TBD)
Leakage < 5nA /5V  (bespoke products TBD)
MAX Temperature 180℃, (bespoke products TBD)

关于盛华(www.sinowintech.com)

盛华探针卡是从事晶圆测试探针卡的研发、设计、制造和销售的技术企业. 自成立以来,盛华始终专注于高端、高速 、高同测晶圆探针卡的创新与研发,凭借技术优势得到了众多客户的认可和青睐。公司产品已覆盖了CIS、SOC、Memory、TDDI/DDIC等多品类中高阶晶圆测试领域的全性能需求。盛华秉持以客户需求为导向,持续推动创新,不断提供客户最佳性价比的产品和服务.

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审核编辑 黄宇

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