TPS2829 2A/2A 单通道栅极驱动器，带 40V VDD数据手册

TPS28xx 单通道高速 MOSFET 驱动器能够向高电容负载提供高达 2A 的峰值电流。高开关速度 （tr和 t f = 14 ns（典型值）通过使用 BiCMOS 输出获得。典型阈值开关电压为 2/3 和 1/3 V 抄送 .该设计本身就最大限度地减少了击穿电流。
*附件：tps2829.pdf

TPS2816 至 TPS2819 器件上均提供稳压器，允许在 14 V 至 40 V 的电源输入下工作。稳压器输出可用于为其他电路供电，前提是功率耗散不超过封装限制。如果不需要调节器，则 V DD 系列 （稳压器输入端）应连接到 V 抄送 .TPS2816 和 TPS2817 输入电路包括一个有源上拉电路，在使用集电极开路 PWM 控制器时无需外部电阻器。TPS2818 和 TPS2819 与 TPS2816 和 TPS2817 相同，只是省略了有源上拉电路。TPS2828 和 TPS2829 与 TPS2818 和 TPS2819 相同，只是省略了内部稳压器，从而在输入为高电平或低电平时允许静态电流降至 15 uA 以下。

TPS28xx 系列器件采用 5 引脚 SOT-23 （DBV） 封装，可在 –40°C 至 125°C 的环境温度范围内工作。

特性

• 低成本、单通道高速 MOSFET 驱动器
• 我 抄送 ...最大 15 uA（TPS2828、TPS2829）
• 25ns 最大上升/下降时间和 40ns 最大传播延迟...1nF 负载
• 2A 峰值输出电流
• 4V 至 14V 驱动器电源电压范围;内部稳压器将范围扩展到 40 V（TPS2816、TPS2817、TPS2818 TPS2819）
• 5 引脚 SOT-23 封装
• –40°C 至 125°C 环境温度工作范围
• 高度抗闩锁

参数

一、产品概述

• ‌产品名称‌: TPS
• ‌类型‌: 单通道高速MOSFET驱动器
• ‌特点‌:
  • 低成本
  • 高达2A的峰值输出电流
  • 高速开关性能（典型上升/下降时间为ns）
  • V至V驱动器供电电压范围
  • -0°C至5°C环境温度工作范围
  • 引脚SOT-封装

二、主要功能

• ‌驱动器输入‌: 非反相输入
• ‌输出特性‌:
  • 输出电流高达A
  • 可驱动高度电容性负载
• ‌内部电压调节器‌: TPS至TPS型号内置，允许在4V至0V的供电输入下工作（TPS8和TPS9型号无此调节器）
• ‌保护特性‌:
  • 固有的低穿透电流设计
  • TPS6和TPS7具有活动上拉电路，适用于开集电极PWM控制器

三、封装与引脚

• ‌封装类型‌: SOT-（DBV）
• ‌引脚配置‌:
  • 引脚1: V_DD（调节器电源电压输入，TPS上未连接）
  • 引脚2: GND（地）
  • 引脚3: IN（驱动器输入）
  • 引脚4: OUT（驱动器输出）
  • 引脚5: V_CC（驱动器电源电压/调节器输出电压）

四、电气特性

• ‌输入阈值电压‌:
  • 正向阈值电压（V_CC = V时）为6.6V
  • 负向阈值电压（V_CC = V时）为3.3V
• ‌输出电压‌:
  • 高电平输出电压（I_O = -mA时）为9.9V
  • 低电平输出电压（I_O = mA时）为0.V
• ‌供电电流‌:
  • TPS8和TPS9在V_CC = 0V，输入为高或低时，典型值为.μA
• ‌开关特性‌:
  • 典型上升时间（V_CC = V时）为ns
  • 典型下降时间（V_CC = V时）为ns
  • 典型高至低传播延迟时间（V_CC = V时）为ns
  • 典型低至高传播延迟时间（V_CC = 0V时）为4ns

五、应用信息

• ‌适用场景‌: 适用于需要高速开关性能和高输出电流的MOSFET驱动应用，如高频开关转换器。
• ‌布局建议‌:
  • 驱动器应靠近MOSFET的栅极放置，以减少由栅极电容和迹线电感引起的振荡。
  • 当驱动器输出路径较长时，建议在MOSFET附近串联一个约0Ω的电阻。
  • 推荐在V_CC和GND之间放置一个陶瓷旁路电容器，以提供高速电流瞬变所需的电源。

六、封装选项与材料信息

• 提供了多种封装选项，包括TPS9DBVR、TPS9DBVT等，具有不同的包装数量和RoHS状态。
• 提供了详细的封装尺寸和磁带卷盘信息。