UCC27324-Q1 汽车非反相 4A/4A 双通道低侧栅极驱动器数据手册

UCC27324-Q1 高速双 MOSFET 驱动器可向容性负载提供大峰值电流。这些驱动器采用一种本质上将击穿电流降至最低的设计，在 MOSFET 开关转换期间，在米勒高原区域提供 4 A 的电流。独特的双极和 MOSFET 混合并联输出级还允许在低电源电压下实现高效的电流源和吸收。

该器件采用标准 SOIC-8 （D） 封装。
*附件：ucc27324-q1.pdf

特性

• 适用于汽车应用
• 行业标准引脚排列
• Miller Plateau 地区的 ±4 A 高电流驱动能力
• 即使在低电源电压下也能实现高效的恒流源
• TTL 和 CMOS 兼容输入，不受电源电压的影响
• 1.8nF 负载时，典型上升时间为 20ns，典型下降时间为 15ns
• 典型传播延迟时间为 25 ns（输入下降时）和 35 ns（输入上升时）
• 电源电压为 4 V 至 15 V
• 电源电流：0.3 mA
• 双输出可并联以获得更高的驱动电流
• 额定温度范围为 T J = –40°C 至 125°C
• TrueDrive™ 输出架构采用双极和 CMOS 晶体管并联

参数

方框图

一、产品概述

1. 基本信息

• ‌产品名称‌：UCC4-Q
• ‌类型‌：双4A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器
• ‌应用‌：开关模式电源、DC-DC转换器、电机控制器、线路驱动器、Class D开关放大器

2. 主要特点

• ‌汽车级认证‌：适用于汽车应用
• ‌高电流驱动‌：在Miller平台区域提供±A的驱动电流
• ‌双输出‌：两个独立的输出通道，可并联以增加驱动电流
• ‌输入兼容‌：TTL和CMOS兼容输入，独立于电源电压
• ‌快速开关‌：ns典型上升时间和ns典型下降时间（.nF负载）
• ‌宽供电范围‌：V至V供电电压
• ‌热增强封装‌：标准SOIC-封装，提高长期可靠性

二、引脚配置与功能

1. 引脚配置

• ‌OUTA/OUTB‌：驱动输出A/B，提供高达A的驱动电流
• ‌INA/INB‌：输入A/B，控制相应驱动器的开关
• ‌GND‌：公共地，应紧密连接到被驱动功率MOSFET的源极
• ‌VDD‌：供电电压输入
• ‌NC‌：无连接引脚，应接地

2. 功能描述

• ‌OUTA/OUTB‌：输出端，用于驱动外部N沟道MOSFET的栅极
• ‌INA/INB‌：输入端，接收控制信号以开关相应的输出
• ‌GND‌：提供公共参考地，确保电路稳定
• ‌VDD‌：为驱动器供电
• ‌NC‌：无电气功能，设计用于接地以防止浮动

三、电气特性

1. 绝对最大额定值

• ‌供电电压‌：4V至6V
• ‌输出电流‌：DC 0.3A，脉冲4.5A
• ‌结温‌：-°C至°C

2. 推荐操作条件

• ‌供电电压‌：4V至5V

3. 电气特性

• ‌静态工作电流‌：典型值μA至μA（根据输入状态）
• ‌输出电阻‌：高电平输出电阻0.6Ω至.Ω，低电平输出电阻0.Ω
• ‌输入阈值‌：高电平输入阈值1.6V至.V，低电平输入阈值1.8V至.V

4. 开关特性

• ‌上升时间‌：ns至ns（1.8nF负载）
• ‌下降时间‌：ns至ns（1.8nF负载）
• ‌传播延迟‌：输入上升时5ns至0ns，输入下降时ns至ns

四、应用与实现

1. 应用信息

• 适用于需要高速、高电流驱动的应用，如开关模式电源和电机控制器

2. 典型应用

• 提供了在PWM控制器和功率MOSFET之间的典型应用电路图

3. 设计考虑

• ‌并联输出‌：A和B驱动器可并联以增加驱动电流
• ‌传播延迟‌：根据系统开关频率选择合适的驱动器
• ‌电源旁路‌：推荐使用两个电源旁路电容以减少噪声

五、布局与热考虑

1. 布局指南

• ‌驱动靠近MOSFET‌：减少寄生电感和噪声
• ‌电源旁路电容‌：靠近VDD和GND放置旁路电容
• ‌地平面‌：使用地平面提供噪声屏蔽和散热路径

2. 热考虑

• ‌热阻‌：提供了不同封装下的热阻信息
• ‌散热设计‌：选择合适的封装以满足热设计要求

六、封装与订购信息

1. 封装选项

• ‌ SOIC- (D) ‌：标准引脚小外形集成电路封装

2. 订购信息

• 提供了订购信息，包括状态、材料类型、封装尺寸、载带和卷盘信息、RoHS状态等