LM5050-1-Q1 汽车类 5V 至 75V 400uA IQ 或运算 FET 控制器数据手册

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器在与电源串联时与外部 MOSFET 一起作为理想二极管整流器运行。该 ORing 控制器允许 MOSFET 取代配电网络中的二极管整流器，从而减少功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5 V 至 75 V 的电源，并可承受高达 100 V 的瞬态电压。
*附件：lm5050-1-q1.pdf

特性

• 提供标准和 AEC-Q100 认证 LM5050Q0MK-1 版本（高达 150°C T J ） 和 LM5050Q1MK-1 （高达 125°C T J )
• 功能安全能力
  • 提供有助于功能安全系统设计的文档
• 宽工作输入电压范围 V 在 ： 1 V 至 75 V （V偏见V 需要 在 < 5 V）
• 100V 瞬态能力
• 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 对电流反转的快速 50ns 响应
• 2A 峰值栅极关断电流
• 最小 VDS 系列用于更快关断的 Clamp
• 封装：SOT-6 （薄型 SOT-23-6）

参数

方框图

1. 产品概述

LM5050-1-Q1是一款高侧OR-ing FET控制器，用于在电源分配网络中替代二极管整流器，从而减少功率损失和电压降。该控制器可与外部N-Channel MOSFET配合使用，实现理想二极管整流功能，适用于冗余（N+1）电源供应的主动OR-ing。

2. 主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：支持1V至75V的输入电压（V_BIAS需用于V_IN < 5V的情况）。
• ‌高瞬态能力‌：能承受高达100V的瞬态电压。
• ‌快速响应‌：具有50ns的快速电流反向响应。
• ‌电荷泵门驱动‌：为外部N-Channel MOSFET提供电荷泵门驱动。
• ‌功能安全‌：提供文档支持功能安全系统设计。
• ‌AEC-Q100认证‌：LM5050-1-Q1版本符合汽车电子委员会标准，适用于汽车应用。

3. 应用领域

• 冗余电源供应的主动OR-ing。
• 需要减少功率损失和电压降的电源分配网络。

4. 功能描述

• ‌OR-ing功能‌：允许多个电源供应冗余连接，提高系统可靠性。
• ‌理想二极管行为‌：通过控制外部MOSFET，模拟低正向电压二极管的行为。
• ‌反向电流保护‌：当检测到电流反向时，快速关闭MOSFET，防止损坏。
• ‌OFF控制‌：通过OFF引脚逻辑控制，可手动关闭外部MOSFET。

5. 电气特性

• ‌工作电源电压‌：VS引脚支持5V至75V。
• ‌低静态电流‌：在25°C时，典型值为75μA。
• ‌快速门电容放电‌：C_GATE=47nF时，典型放电时间为180ns。
• ‌反向V_SD阈值‌：典型值为-28mV。
• ‌正向V_SD调节阈值‌：典型值为22mV。

6. 热特性

• ‌热阻‌：R_θJA（结到环境热阻）为180.7°C/W。
• ‌工作温度范围‌：标准级为-40°C至125°C，AEC-Q100级为-40°C至150°C。

7. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOT-6（Thin SOT-23-6）。
• ‌尺寸‌：2.90mm × 1.60mm。

8. 使用注意事项

• ‌MOSFET选择‌：需根据应用需求选择合适的MOSFET，考虑最大连续漏极电流、体二极管电流、最大漏源电压等因素。
• ‌输入保护‌：在输入电压可能低于VS引脚最低电压要求时，需通过外部电路保护VS引脚。
• ‌反向输入电压保护‌：在Vs供电而IN引脚浮动或接地时，会有漏电流，需采取措施避免影响电路设计。

9. 文档与支持

• 提供了详细的数据手册，包括电气特性、封装信息、应用指南等。
• 提供了相关的社区资源链接，以便用户获取更多支持和帮助。

LM5050-1-Q1是一款功能强大、灵活的高侧OR-ing FET控制器，适用于需要高可靠性和低功率损失的冗余电源供应应用。