LM5050-2 6V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器数据手册

LM5050-2 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 与电源串联时用作理想二极管整流器。这个 OR-ing 控制器允许 MOSFET 取代配电网络中的二极管整流器，从而减少 功率损耗和电压降。
*附件：lm5050-2.pdf

LM5050-2 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动 以及一个快速响应比较器，用于在电流反向流动时关闭 FET。这 LM5050-2 可以连接 +6V 至 +75V 的电源，并且可以承受高达 +100V 的电压。

LM5050-2 还提供 FET 测试诊断模式，允许系统控制器 测试短路的 MOSFET。

特性

• 宽工作输入电压范围：+6V 至 +75V
• +100 V 瞬态能力
• 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• MOSFET 诊断测试模式
• 对电流反转的快速 50ns 响应
• 2A 峰值栅极关断电流
• 最小 VDS 系列用于更快关断的 Clamp
• 封装：SOT-6 （薄型 SOT23-6）

参数

方框图

概述

LM5050-2是一款高性能的高侧OR-ing FET控制器，适用于需要高可用性电源系统的应用。它能够与外部N-Channel MOSFET配合工作，替代传统的OR-ing二极管，从而减少功率损失和电压降。

主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：支持+6V至+75V的宽输入电压范围，并能承受高达+100V的瞬态电压。
• ‌快速响应‌：具有50ns的快速响应时间，能够迅速检测并响应电流反向情况。
• ‌电荷泵门极驱动‌：内置电荷泵门极驱动器，可为外部N-Channel MOSFET提供高达2A的峰值门极关断电流。
• ‌MOSFET诊断测试模式‌：提供MOSFET诊断测试模式，允许系统控制器检测MOSFET是否短路。
• ‌小封装‌：采用SOT-6（Thin SOT23-6）封装，体积小，便于集成。

功能描述

• ‌OR-ing功能‌：LM5050-2能够驱动外部N-Channel MOSFET，实现与传统OR-ing二极管相同的功能，但具有更低的功率损失和电压降。
• ‌电压监控‌：通过监控外部MOSFET的源极和漏极电压，LM5050-2能够控制MOSFET的开关状态，确保电源系统的稳定性。
• ‌故障保护‌：在检测到电流反向或MOSFET短路等故障情况时，LM5050-2能够迅速关断MOSFET，保护电源系统不受损坏。

典型应用

• ‌冗余电源供应‌：在需要高可用性的系统中，LM5050-2可用于连接多个冗余电源供应，提高系统的可靠性和稳定性。
• ‌电源分配网络‌：在电源分配网络中，LM5050-2可替代传统的OR-ing二极管，减少功率损失和电压降，提高电源效率。

引脚功能

• ‌nFGD‌：开漏输出引脚，用于FET测试电路。当OFF引脚为高电平时，nFGD引脚的低电平状态表示外部MOSFET的前向电压大于350mV。
• ‌GND‌：控制器地返回引脚。
• ‌OFF‌：FET测试模式控制输入引脚。逻辑低电平或开路状态将禁用FET测试模式；逻辑高电平将拉低GATE引脚并关断外部MOSFET。
• ‌IN‌：电压感应连接引脚，连接到外部MOSFET的源极引脚和内部电荷泵的供电输入。
• ‌GATE‌：连接到外部MOSFET的门极引脚。
• ‌OUT‌：电压感应连接引脚，连接到外部MOSFET的漏极引脚，并为内部控制电路提供偏置电压。

设计指南

• ‌MOSFET选择‌：根据应用需求选择合适的MOSFET，重点考虑最大连续漏极电流、体二极管最大电流、最大漏源电压、栅源阈值电压、漏源反向击穿电压和漏源导通电阻等参数。
• ‌布局和布线‌：遵循推荐的布局和布线指南，以最小化寄生电感和电容的影响，确保系统的稳定性和可靠性。
• ‌故障保护‌：在设计时考虑加入适当的故障保护电路，如反向电流保护、过压保护和过流保护等，以提高系统的可靠性和安全性。

文档支持

LM5050-2的数据手册提供了详细的电气特性、引脚描述、典型应用电路、设计指南以及故障保护建议等信息。此外，TI还提供了相关的评估板和软件工具，以帮助用户快速评估和设计基于LM5050-2的电源管理解决方案。