TPSI3100 是一款完全集成的隔离式开关驱动器,与外部电源开关结合使用时,可形成完整的隔离式固态继电器解决方案。凭借 17V 的栅极驱动电压、1.5A 和 2.5A 的峰值拉电流和灌电流,可以使用大量电源开关来满足许多应用需求。TPSI3100 从其初级侧接收的电源产生自己的次级偏置电源,因此不需要隔离式次级电源偏置。该 TPSI3100 通过标称 5V 电源轨 (VDDM) 提供额外的电源,供辅助电路用于执行各种功能,例如电流和电压监控或远程温度检测。TPSI3100隔离非常坚固,与使用传统机械继电器和光耦合器相比,具有更高的可靠性、更低的功耗和更大的温度范围。
*附件:tpsi3100.pdf
该TPSI3100集成了一个通信反向通道,该通道通过开漏输出、PGOOD(电源正常)、FLT1(故障 1)和 ALM1(警报 1)将状态信息从次级侧传输到初级侧。具有集成共享电压基准的双通道高速比较器用于置位 FLT1 和 ALM1。当比较器输入 FLT1_CMP 超过基准电压时,驱动器立即被置为低电平,FLT1 也被驱动为低电平,向系统表明发生了故障。这对于在关键事件(例如过流检测)上禁用低延迟的外部开关非常有用。当比较器输入 ALM1_CMP 超过电压基准时,ALM1 信号被置为低电平,但驱动器不采取任何措施。这可能用作过热或过压事件的警报或警告指示器。
TPSI310xL 系列提供基于锁存器的故障指示器。当检测到故障时,驱动器和故障指示器被置为低电平并保持锁存状态,直到 EN 被置为低电平。TPSI310x 系列具有非锁存故障指示器。如果故障事件不再存在,则 FLT1 置低,驱动器在指定的恢复期后遵循 EN 引脚的状态。
特性
- 驱动外部电源开关(MOSFET、IGBT、SiC FET、SCR)
- 集成偏置电源,无需隔离式次级电源
- 17V 栅极驱动,1.5A 和 2.5A 峰值拉电流和吸收电流
- 3kVRMS 基本隔离
- 高达 25mW,5V 电源,用于外部辅助电路
- 双通道隔离高速比较器,集成电压基准 ±1.5%
- 用于故障和警报指示器的开漏输出
- –40°C 至 +125°C,TA
- 功能安全
- 安全相关认证
- 计划:4243VPK 基本隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准
- 计划:3kVRMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
参数
方框图
一、产品概述
TPSI3100是一款全集成隔离开关驱动器,专为驱动外部功率开关(如MOSFETs、IGBTs、SiC FETs、SCRs)而设计。它集成了偏置电源、双隔离比较器和17V栅极驱动,无需隔离的次级供电,适用于固态继电器、楼宇自动化和工厂自动化等应用。
二、主要特性
- 集成偏置电源:无需外部隔离次级供电。
- 高隔离电压:3kV RMS基本隔离。
- 高栅极驱动电压:17V栅极驱动,峰值源电流1.5A和2.5A。
- 双隔离比较器:带集成电压参考的比较器,用于故障和报警指示。
- 功能安全:支持功能安全设计,计划获得相关安全认证。
- 宽温度范围:工作温度范围-40°C至+125°C。
- 5V辅助电源:提供5V电源(VDDM)供外部辅助电路使用。
三、引脚配置与功能
TPSI3100采用16引脚SSOP封装,主要引脚包括:
- VDDP:初级侧电源供电。
- VSSM:初级侧地。
- VSSM:次级侧地。
- VDDH:次级侧高压输出,用于栅极驱动。
- VDDM:次级侧中压输出,用于辅助电路。
- VDRV:栅极驱动输出。
- FLT1:故障1指示输出,低电平有效。
- ALM1:报警1指示输出,低电平有效。
- PGOOD:电源正常指示输出,低电平有效。
- EN:使能输入,高电平有效。
- CE:芯片使能输入,高电平有效。
- FLT1_CMP:故障1比较器输入。
- ALM1_CMP:报警1比较器输入。
四、电气特性
- 输入电压范围:4.5V至5.5V(VDDP)。
- 栅极驱动电压:16V至18V(VDDH)。
- 辅助电源电压:4.8V至5.2V(VDDM)。
- 共模瞬态免疫:100V/ns。
- 最大结温:150°C。
五、功能描述
- 传输使能状态:通过调制方案将使能状态信息跨隔离屏障传输。
- 电源传输:通过隔离变压器将初级侧电源传输到次级侧,无需次级隔离供电。
- 栅极驱动:提供高达17V的栅极驱动电压,适用于多种功率开关。
- 芯片使能:当CE为高电平时,设备进入活跃模式;当CE为低电平时,设备进入待机模式。
- 比较器:双隔离比较器用于故障和报警指示,比较器输入超过参考电压时触发相应输出。
- 欠压锁定:对VDDP、VDDH和VDDM进行欠压保护,确保稳定工作。
- 热关断:内部温度传感器监测结温,超过阈值时自动关断电源传输。
六、应用与实现
- 典型应用:包括过电流保护、双向过电流保护、DESAT保护等。
- 设计步骤:选择合适的栅极驱动电容、分流电阻和比较器响应时间电阻。
- 布局指南:强调关键组件的放置、接地考虑和EMI抑制措施。
- 电源建议:提供初级侧和次级侧电源的连接和去耦建议。
七、器件与文档支持
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