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这款采用3.3mm×3.3mm SON封装的30V，3.2mΩ，NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 /p>
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17581Q3A |
|---|
| 30 |
| Single |
| 4.7 |
| 3.8 |
| 154 |
| 20 |
| 4 |
| SON3x3 |
| 20 |
| 1.3 |
| 101 |
| 60 |
| Yes |
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