关注第三代半导体测试-GaN-YDX
目前市面常见的氮化镓晶圆（WAFER）D型，常开型，所以关断电压是负值，VP一般是低于-10V。
如果想做成和SI硅基MOSFET一样做成常闭型就需要，做成E型，需要做2次外延，工艺会复杂一点。
1,如果D型产品想取代现有硅基MOSFET，还不改变客户应用驱动IC时候，就必须GaN和封一个硅基MOS，控制部分硅基MOSFET完成，作为开关控制，串联关系，从而实现直接替换。好处是容易替换,坏处是成本增加不少，氮化镓的高频特性没有完全体现出来，只是提高5%左右。
2,还有就是驱动IC特别开发和氮化镓直接和封，推出独立模块，这个效果非常好，工作开关频率非常轻松到达1MHZ，但通用性差，容易被供应商锁死。
3,目前比较看好还是E型，只是增加了一次外延而已，比增加硅基MOSFET还便宜，并且和市面上所有IC驱动都匹配，又能完全释放，氮化镓高频特性，也可以跑1MHZ。
4,从设备制造和工艺复用看，氮化镓和硅基产品复用率能达到90%以上，远远高于SIC碳化硅复用率不到50%，还有制造流程只要3个月即可完成，远远快于SIC碳化硅的6个月，出货快，循环周期快，成本会越来越越低。
有兴趣朋友一起交流，CP和FT全部测试方案。
审核编辑 黄宇
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