高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求,罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能,为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品,带您了解其技术优势和应用场景,更多信息您可点击文内相关链接查看。
罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点,其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格,广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时,MOSFET是汽车电动化的必需品,罗姆的车载MOSFET是符合车载可靠性标准AEC-Q101的高可靠性产品,并且封装阵容丰富,可灵活满足各种车载系统的需求。
车载MOSFET
该系列提供可用于各种应用的可高速开关的低导通电阻产品。而且封装产品阵容丰富,可以适应小型化、大电流化的趋势,灵活满足客户的要求。还将通过开发新工艺结构,进一步降低导通电阻、提高开关速度。
产品推荐
车载Nch MOSFET
产品特点
车载Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐压分别为40V、60V和100V,均通过采用split gate实现了低导通电阻,有助于车载应用的高效运行。所有型号的产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,并确保高可靠性。
封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252(DPAK)封装(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术,TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构,安装可靠性都非常高。
产品阵容

| RF9G120BKFRA | RF9L120BKFRA |
| RQ3G270BKFRA | RQ3L270BKFRA |
| RQ3L270BLFRA | RQ3L120BKFRA |
| RQ3P270BKFRA | RD3G08CBKHRB |
| RD3L04BBKHRB | RD3P06BBKHRB |
190-800V功率MOSFET
罗姆额定电压为600-800V的功率MOSFET产品,采用先进的超级结技术,兼具高速开关与低导通电阻的卓越性能,能降低应用过程中的能耗损失。该系列精心打造了低噪声规格和高速开关规格两类产品,可依据客户的具体需求精准推荐。
在电源应用领域,如PC、服务器、充电器及照明等设备的PFC电路,低噪声规格和高速开关规格产品都是理想之选。专为电机及逆变器节能化量身定制的PrestoMOS系列产品,内置运用罗姆专利技术制成的快速二极管。此系列适配空调、冰箱、洗衣机等家电,以及太阳能发电等领域所使用的电机及逆变器电路,同时也适用于图腾柱型PFC电路和LLC电路,能有效提升能源利用效率。对于LED照明和工业用途,罗姆特别推荐使用800V规格的产品,以满足其对高电压和高性能的严苛要求。
产品推荐
采用SOT-223-3小型封装的
600V耐压Super Junction MOSFET
产品特点

1. 与以往TO-252封装(6.60mm × 10.00mm × 2.30mm)的产品相比,该产品的面积减少约31%,厚度减少约27%,有助于实现更小、更薄的应用产品。另外,该产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案(焊盘图案),因此也可以直接使用现有的电路板。
2. 五款产品分别适用于小型电源和电机应用,各有不同的特点。
适用于小型电源的有3款型号,“R6004END4”具有低噪声的特点,适用于需要采取降噪措施的应用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点,适用于需要低损耗且高效率工作的应用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间(trr)并大大降低了开关损耗,属于“PrestoMOS”产品,非常适用于电机应用。
产品阵容

| R6004END4 | R6003KND4 | R6006KND4 |
| R6002JND4 | R6003JND4 | 查看更多 |
12-150V MOSFET
该系列涵盖N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。这些产品均具备低导通电阻与高开关速度的卓越特性,能有效提升系统效率与响应速度。从小信号处理所需的 MOSFET,到满足大功率需求的功率MOSFET,该系列构建起了完备的产品矩阵,可广泛适用于各类应用场景。另外罗姆还为各位工程师提供产品选型手册及网页,您可点击查看。
- PchMOS专用选型指南
- 电机用新产品规格书数据下载页面
产品推荐
100V耐压双MOSFET
产品特点

1. 采用ROHM新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron) (Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。与普通的双MOSFET相比,导通电阻降低达56%,非常有助于进一步降低应用设备的功耗。
2. 通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。
产品阵容

| HP8KE6 | HP8KE7 | HT8KE5 |
| HT8KE6 | HP8ME5 | 查看更多 |
Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列
产品特点

1. 该产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron),相比以往产品,导通电阻降低了50%。
2. 通过改进栅极结构,Qgd(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。
产品阵容

| RS6G120BG | RS6G100BG | RS6L120BG |
| RS6L090BG | RS6N120BH | RS6P100BH |
| RS6P060BH | RS6R060BH | RS6R035BH |
| RH6G040BG | RH6L040BG | RH6P040BH |
| RH6R025BH | 查看更多 | |
罗姆的MOSFET系列产品凭借其显著的技术特性、丰富多元的产品阵容以及在车载领域稳定可靠的表现,为电子行业提供了广泛且适配性强的解决方案。
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9411浏览量
229475 -
封装
+关注
关注
128文章
9139浏览量
147859 -
罗姆
+关注
关注
5文章
438浏览量
67543
原文标题:一键下载罗姆MOSFET资料,了解产品优势与技术亮点
文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
互通有无扩展生态,英飞凌与罗姆达成碳化硅功率器件封装合作
罗姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化镓及硅基器件引领功率半导体创新
罗姆助力舍弗勒新型高电压逆变砖实现量产
罗姆邀您相约PCIM Asia Shanghai 2025
派恩杰发布第四代SiC MOSFET系列产品
芯驰科技与罗姆合作推出车载SoC X9SP参考设计
罗姆发布高效能100V功率MOSFET,助力AI服务器电源管理升级
新洁能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品
罗姆EcoGaN产品GaN HEMT被村田AI服务器电源采用
罗姆半导体宣布2025财年换帅
上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品介绍
罗姆、台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件达成战略合作伙伴关系

罗姆MOSFET系列产品的优势和特点
评论