DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优,2018年存储规模突破1600亿美元

DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优，科技市调机构IC Insights为此决定将今(2018)年的全球IC市场成长预估值拉高近一倍，从原本的8%一口气上修至15%。

IC Insights 14日发表研究报告指出，今年DRAM均价远优于预期，估计将较去年跳增36%，延续去年大涨81%的上升走势，而去年均价跳涨45%的NAND，今年报价也有望续增10%。相较之下，DRAM、NAND今年的位元出货量成长率则只将达到1%、6%。

基于上述预测，IC Insights认为，今年DRAM的全球市场规模有望成长37%，远优于先前估计的13%，而NAND则将成长17%、也高于先前估计的10%。

报告称，2018年DRAM市场的整体规模预料会达到996亿美元，比NAND的621亿美元大幅超出375亿美元，成为IC业界规模最大的产品类别。从该机构制作的图表可以看出(见左图)，过去五年来，DRAM已成为左右全球IC成长的关键因素。

美国存储大厂美光(Micron Technology)受惠DRAM报价看俏、NAND型快闪存储毛利增加，去年股价狂飙87.57%后，今年以来又续涨45.38%。

barron`s.com、CNBC、路透社等外电报导，Nomura Instinet分析师Romit Shah 3月12日发表研究报告指出，年初以来，存储报价仅下滑3%，跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，预估未来六个月报价有望上扬10%。研究显示，供应商应该会在Q2、Q3开始涨价，跟市场原本预测的「未来四季报价每季会跌5-6%」大相径庭。

Shah认为，美光股价顺利突破3-4个月的盘整期，目前正处于另一波大涨行情的初始阶段。他提出了几项对美光有利的因素，当中包括DRAM报价有望自第2季起恢复扬升走势、公司将在5月首度宣布股利发放和库藏股计划、NAND的毛利率持续扩张，以及有关整并的讨论增多等。

DRAM缺货一整年价格逐季涨

全球最大存储厂韩国三星电子正在进行半导体产能大挪移，以提升产能运用效率，三星虽然决定在韩国华城Line 17及平泽Line 18扩大先进制程DRAM产能，但三星同时却将华城Line 11及Line 13的旧制程DRAM产能，移转生产CMOS影像感测器，有意挤下日本索尼、抢占CMOS影像感测器龙头宝座。

业界认为，三星在增加DRAM新制程产能之际，同时缩减旧制程产能，总投片量今年及明年都不会增加太多，只利用制程转换至1y/1z纳米来提高位元出货成长率。由此来看，DRAM市场今年恐将缺货一整年，价格逐季调涨已无可避免。

业界指出，今年总投片量增加幅度十分有限，DRAM价格3月见到明显涨势，季度涨幅可望上看5～10％，优于先前预期的5％，第二季价格可望再续涨5～10％。法人看好南亚科（2408）、华邦电（2344）、威刚（3260）将直接受惠。

根据韩国外电报导，韩系存储厂三星以及SK海力士已调涨第一季DRAM报价，涨幅约达5～10％，包括标准型、伺服器、利基型、行动式等DRAM价格都全面上涨。

第一季是传统淡季，DRAM价格在淡季调涨，代表市场供不应求情况未获纾解，其中又以伺服器DRAM缺货最为严重。

业界人士透露，资料中心需求强劲，搭载的伺服器DRAM价格比智慧型手机采用的行动式DRAM高出2成，所以三大DRAM厂上半年产能都移转到伺服器DRAM。标准型PC DRAM则在英特尔、超微的新平台推出后，带动需要搭载8GB以上高容量DRAM的电竞PC热卖，PC DRAM需求强劲且价格持续上涨，目前价格几乎是去年同期的2倍。

为解决DRAM缺货问题，龙头大厂三星已宣布扩产计画。三星将利用位于韩国平泽Line 18的2楼空间扩增DRAM产能，设备已完成装机并准备启动生产，华城Line 17的部份产线也由NAND Flash转为生产DRAM，下半年将启动生产。三星的扩产计画一度让市场担忧DRAM市场好日子是不是快过去了，但事实上，三星却同时缩减旧制程DRAM产能。

外电报导指出，三星已将原本用来生产DRAM的华城Line 11旧制程生产线，在去年底改为生产CMOS影像感测器，预计今年底改装完毕，随后华城Line 13旧制程DRAM生产线也会跟着移转成为CMOS影像感测器生产线。而值得注意之处，在于三星的CMOS影像感测器将用来投产堆叠DRAM及类比逻辑芯片的三层（3-layer stacked）影像感测器。