CMOS 工艺中的寄生晶闸管(SCR)结构,是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN/PNP 晶体管相互连接形成的。这些寄生晶体管平时处于关闭状态,但当受到电压尖峰、静电干扰或高温时,会触发正反馈环路,导致电流在芯片内部无限放大,最终烧毁芯片或迫使系统断电。这一现象即为闩锁效应。

如何快速判断电路是否存在闩锁?
如果遇到以下情况,可以是闩锁在作祟:
电流突然激增:芯片耗电猛增,远超正常工作电流。
电压突然暴跌:电源电压“断崖式下跌”,导致芯片复位或功能紊乱。
高温更易崩溃:芯片在高温环境下(如>85℃)更容易触发闩锁。
检测方法:
静电测试:模拟人体接触放电,验证芯片抗ESD能力(IEC 61000-4-2)。
浪涌测试:模拟雷击或电源波动,测试电路稳定性(IEC 61000-4-5)。
电脑模拟:用仿真工具(如TCAD)预判寄生结构的触发阈值,优化设计。
不同器件的“触发门槛”与防护方案
器件类型 | 触发条件 | 防护建议 |
电流过大(如10A以上) | ||
CMOS芯片(如单片机) | I/O口对地电压异常(I/O口低于-1.8V或高于VCC+0.7V) | 1. I/O口串联200Ω电阻“限流”;2. 用TVS二极管箝位电压;3.热插拔时优先连接地线,避免电位差触发寄生晶体管! |
LDO(低压差稳压器) | 电流过载(如输入1.8V时达900mA) | 1. 串电阻“分流”;2.加“复位开关”强制重启;3.选抗闩锁设计的稳压器。 |
运算放大器(如OPA4H199) | 输出短路或过载(如电流超120mA) | 1. 输出端加电阻“限流”;2. 用自恢复保险丝当“自动开关”。 |
雷卯电子的“防闩锁武器库”
1. 高功率接口:TVS二极管 + 自恢复保险丝
TVS二极管:纳秒级响应,将电压尖峰箝位至安全阈值,防止寄生晶体管触发。
自恢复保险丝(PPTC):过流时自动断开电路,故障排除后自动复位,避免持续损坏。两者协同可阻断闩锁触发条件。

2.低电压/高速接口:ESD静电防护
低电容ESD器件:像“防静电外套”一样,包裹芯片接口,防止静电“电击”触发闩锁,同时不影响信号速度(如USB、HDMI)。
雷卯推荐的“防闩锁武器”清单,按场景选择,简单有效,详细方案可关注雷卯电子公众号或联系雷卯EMC小哥。
类型 | 型号 | 描述 | 封装 | 应用 |
ESD | ULC0524BLC | 5V,0.3/0.8PF,5A | DFN2510P10 | DP接口静电防护 |
ESD | SDA1211CDN | 12V,Bi,8PF,8A | DFN1006 | 12V电源接口防静电 |
ESD | SD24C | 24V,Bi,50PF,12A | SOD-323 | CAN接口静电防护 |
ESD | SMC24 | 24V,Bi,30PF,9A | SOT-23 | CAN接口静电防护 |
ESD | ESDA05CP | 5V Bi, 10PF,5A | DFN1006-2 | GPIO静电保护 |
ESD | SDA05W5 | 5V,Uni,30PF,3A | SOT-353 | GPIO静电保护 |
ESD | ULC332010T8 | 3.3V,1.5PF,30A | DFN2010-8 | 千兆网防静电 |
ESD | GBLC03C | 3.3V,Bi,0.6 PF,20A | SOD-323 | 千兆网防静电 |
ESD | SLVU2.8-4 | 2.8V,Bi,2 PF,30A | SOP-08 | 千兆网防静电 |
ESD | USRV05-4 | 5V,Uni,0.7PF,5A | SOT-26 | SD卡静电防护 |
ESD | ULC3304P10 | 3.3V,Uni, 0.4PF,5A | DFN2510P10 | HDMI 2.0静电保护 |
ESD | SR05W | 5V,Uni,3PF,20A | SOT-143 | USB2.0 静电保护 |
ESD | LC0502D6 | 5V,0.8PF,6A | SOT-26 | USB2.0静电防护 |
ESD | ULC05DT3 | 5V,Uni,0.6PF,4A | SOT-23 | eSATA静电保护 |
ESD | ULC0568K | 5V,0.3PF,5A | DFN4120-10 | USB3.0静电保护 |
ESD | ULC0502P3 | 5V,Uni,0.6PF,5A | DFN1006-3 | USB3.0 静电保护 |
ESD | ULC0524P | 5V,Uni,0.3PF,5A | DFN2510P10 | USB3.0静电保护 |
ESD | SMC12 | 12V,Bi,45PF,15A | SOT-23 | I2C接口静电保护 |
ESD | ULC0504P | 5V,0.4PF,5A | DFN1616-6 | TF卡静电保护 |
ESD | SR12W | 12V,5PF,16A | SOT-143 | RS232静电保护 |
ESD | SMC15 | 15V,Bi,40PF,9A | SOT-23 | RS232静电保护 |
ESD | SM712 | 7/12V,Bi,34PF,22/17A | SOT-23 | RS485接口静电保护 |
ESD | ULC0542C13 | 5V,Bi,0.13PF,3A | DFN1006 | WIFI天线静电保护 |
ESD | LC0504F | 5V,Uni,0.8PF,5A | SOT-363 | SIM卡静电保护 |
ESD | LC05CI | 5V,Bi,1.2PF,20A | SOD-323 | RF天线接口防静电 |
ESD | ULC0521C | 5V,Bi,0.26PF,5A | DFN0603 | 音频接口静电保护 |
ESD | LCC05DT3 | 5V,Bi,1.2PF,12A | SOT-23 | 音频接口静电保护 |
ESD | SDA1511DN | 15V,50PF,10A | DFN1006 | DC12V电源防静电 |
ESD | ESDA05CC | 5V,Bi,39PF,20A | SOD-523 | 电源输出接口静电 |
ESD | PTVS0542H100 | 5V,190PF,105A | DFN1006 | 5V供电接口防静电 |
总结:防闩锁三板斧
1.设计时“防微杜渐”:
电源去耦:芯片电源引脚并联0.1μF陶瓷电容,抑制电压毛刺。
布局优化:缩短敏感信号线长度,减少寄生电容耦合;增加衬底和阱的接地接触,降低寄生电阻。。
版图设计:在I/O区域添加Guard Ring(环形接地层),阻止载流子扩散触发闩锁。
2.器件选型“硬核防御”:
高功率接口选TVS,PPTC防过流,低压高速信号选ESD,像给电路穿“防弹衣”。
3.雷卯“定制服务”:
遇到复杂场景?雷卯技术团队可量身定制方案,像“电路医生”一样对症下药!
Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSS,GDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。
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