TPS59603-Q1 用于汽车应用中高频 CPU 内核电源的同步降压 FET 驱动器数据手册

TPS59603-Q1 驱动器针对高频 CPU V 进行了优化核心应用。减少死区时间驱动和自动过零等高级功能用于优化整个负载范围内的效率。

SKIP 引脚提供 CCM作选项，以支持输出电压的受控管理。此外，TPS59603-Q1 支持两种低功耗模式。当 PWM 输入处于三态时，静态电流降低到 130 μA，并立即响应。当 SKIP 保持在三态时，电流降低到 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢复开关）。这些驱动器与适当的 TI 控制器配合使用，可提供超高性能的电源系统。
*附件：TPS59603-Q1 用于汽车应用中高频 CPU 内核电源的同步降压 FET 驱动器数据表.pdf

TPS59603-Q1 器件采用节省空间的热增强型 8 引脚、2mm x 2mm 可湿性侧面 WSON 封装，工作温度范围为 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C
  • 设备 人体模型 ESD 分类等级 H2
  • 器件 带电器件型号 ESD 分类等级 C3B
• 降低死区时间驱动电路，优化 CCM
• 自动过零检测，优化 DCM 效率
• 多种低功耗模式，优化轻负载效率
• 针对高频作优化的信号路径延迟
• 集成 BST 开关驱动强度针对低 RdsON FET 进行了优化
• 针对 5V FET 驱动进行了优化
• 转换输入电压范围 （V 在 ）：2.5 至 28 V
• 2mm × 2mm、8 引脚、WSON 导热垫封装，带可润湿侧面

参数

方框图

1. 产品概述

TPS59603-Q1 是一款专为汽车应用中高频 CPU 内核电源设计的同步降压 FET 驱动器。它优化了连续导通模式（CCM）和断续导通模式（DCM）下的效率，并提供了多种低功耗模式以优化轻负载效率。

2. 主要特性

• ‌AEC-Q100 认证‌：适用于汽车应用，温度等级为 -40°C 至 125°C。
• ‌优化死区时间驱动电路‌：提高 CCM 下的效率。
• ‌自动零交叉检测‌：优化 DCM 下的效率。
• ‌多种低功耗模式‌：支持 PWM 和 SKIP 引脚的三态操作，降低静态电流。
• ‌集成 BST 开关‌：驱动强度优化，适用于低 RDS(ON) FET。
• ‌宽输入电压范围‌：2.5V 至 28V。
• ‌小型封装‌：2mm × 2mm 8引脚 WSON 封装，带湿侧翼。

3. 应用领域

• ‌汽车后座娱乐（RSE）平板电脑‌：使用高频 CPU 的场景。
• ‌汽车 ADAS 处理器内核电源‌。

4. 电气特性

• ‌工作结温范围‌：-40°C 至 125°C。
• ‌输入电压范围‌：VDD 为 4.5V 至 5.5V（推荐 5V）。
• ‌低静态电流‌：PWM 引脚三态时，静态电流为 130µA；SKIP 引脚三态时，静态电流为 8µA（典型值）。
• ‌快速响应‌：PWM 和 SKIP 引脚从三态恢复后，切换响应时间小于 50µs。

5. 功能描述

• ‌UVLO 保护‌：当 VDD 电压低于 UVLO 阈值时，禁用驱动器并将 DRVH 和 DRVL 输出置为低电平。
• ‌PWM 引脚三态功能‌：PWM 引脚进入三态时，驱动器进入低功耗状态，输出置为低电平。
• ‌SKIP 引脚功能‌：控制转换器在 CCM 和 DCM 之间切换，SKIP 引脚三态时进入极低功耗状态。
• ‌自适应死区时间控制‌：减少 MOSFET 体二极管导通时间和恢复损耗。
• ‌集成 BST 开关‌：使用 FET 替代传统二极管，降低高侧 FET 的导通损耗。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：8引脚 WSON 封装，带湿侧翼。
• ‌尺寸‌：2mm × 2mm。

7. 布局指南

• ‌驱动器位置‌：应尽可能靠近 MOSFET。
• ‌电容位置‌：VDD 和自举电容应尽可能靠近驱动器。
• ‌地线处理‌：使用封装的热焊盘作为 GND，直接连接到 MOSFET 的源极。
• ‌走线宽度‌：DRVH 和 DRVL 走线宽度建议为 80 至 100 密耳。