受服务器DRAM驱动，预计三星将继续保持强劲增长

近来，DRAM、NAND型闪存报价走势超优，市场调研机构IC Insights为此决定将今(2018)年的全球IC市场成长预估值拉高近一倍，从原本的8%一口气上修至15%。

IC Insights 昨日发表研究报告指出，今年DRAM均价远优于预期，估计将较去年跳增36%，延续去年大涨81%的上升走势，而去年均价跳涨45%的NAND，今年报价也有望续增10%。相较之下，DRAM、NAND今年的位出货量成长率则只将达到1%、6%。

基于上述预测，IC Insights认为，今年DRAM的全球市场规模有望成长37%，远优于先前估计的13%，而NAND则将成长17%、也高于先前估计的10%。

报告称，2018年DRAM市场的整体规模预料会达到996亿美元，比NAND的621亿美元大幅超出375亿美元，成为IC业界规模最大的产品类别。从该机构制作的图表（如上）可以看出，过去五年来，DRAM已成为左右全球IC成长的关键因素。

美国内存大厂美光受惠DRAM报价看俏、NAND型闪存毛利增加，去年股价狂飙87.57%后，今年以来又续涨45.38%。

另据CNBC、路透社等外电报导，Nomura Instinet分析师Romit Shah 3月12日发表研究报告指出，年初以来，内存报价仅下滑3%，跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，预估未来六个月报价有望上扬10%。研究显示，供货商应该会在Q2、Q3开始涨价，跟市场原本预测的未来四季报价每季会跌5-6%大相径庭。

分析师Romit Shah认为，美光股价顺利突破3-4个月的盘整期，目前正处于另一波大涨行情的初始阶段。他提出了几项对美光有利的因素，当中包括DRAM报价有望自第2季起恢复扬升走势、公司将在5月首度宣布股利发放和库藏股计划、NAND的毛利率持续扩张，以及有关整并的讨论增多等。

不过，日前，三星工厂停电或导致全球NAND供应短期受阻。

据韩国当地媒体报道，上周五三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。尽管备用的不间断电源可以应对20分钟左右的突发状况，但是在CVD（化学气相沉积）、扩散、蚀刻和离子注入等工艺中，60分钟的停电可能将影响60％的输入晶圆片（即等待加工的晶圆片）。一般情况下，超过20分钟的任意停电将导致一半以上的输入晶圆报废。由于平泽工厂此次停电事故，预计3月份全球NAND供应将暂时收紧，同时预计这次事故会降低全球NAND库存水平。

花旗银行分析，三星3月份11%的NAND产能预计将受到影响。目前，三星平泽工厂一层每月NAND产能为90k片晶圆，二层DRAM/NAND装备则正在安装中。尽管有不间断电源备用，预计此次停电事故仍将影响到60%的产能。如果以三星NAND总产能514k片/月来计算，估计三星3月份NAND芯片出货量的11％将报废。目前全球每月NAND产能为1,557k片/月，因此预计2018年3月全球NAND供应量将下降3.5%。

不过三星有事故保险，因此停电事故对其影响有限。三星的内存晶圆厂都投了事故保险，此次意外停电可获得一笔保险赔偿，因此对三星的利润影响不大。此外，由于其有充足的NAND库存准备，相信三星的销售和运营也不会受到影响。

花旗银行指出，受服务器DRAM采用1xnm和1ynm驱动，预计三星将继续保持强劲增长。SK Hynix方面，预计2018年强劲的服务器DRAM和SSD需求将使该公司创下新的盈利纪录。