HMC7950 2GHz至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册

概述

HMC7950是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC7950是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器通常提供15 dB增益、2.0 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为64 mA（采用5 V电源时）。HMC7950仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现64 mA的漏极电流IDD。HMC7950还具有增益控制选项VGG2。HMC7950放大器输入/输出内部匹配50 Ω，并经过隔直。它采用6 mm × 6 mm、16引脚LCC SMT陶瓷封装，易于处理和组装。
数据表：*附件：HMC7950 2GHz至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器技术手册.pdf

特性

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：16 dBm（典型值）
• 饱和输出功率(PSAT)：19.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 噪声系数：2.0 dB（典型值）
• 输出三阶交调截点(IP3)：26 dBm（典型值）
• 电源电压：5 V (64 mA)
• 50 Ω匹配输入/输出

应用

• 测试仪器仪表
• 军事与航天

功能框图

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型性能特征

HMC7950是一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器。其基本架构是单电源、偏置共源共栅分布式放大器，漏极集成RF扼流圈。码分布式架构使用由两个场效应晶体管(FET)堆叠而成的基本单元，上面FET的源极连接到下面FET的漏极。然后，基本单元被复制几次，一条传输线将RFIN信号馈送到较低fet的栅极，另一条单独的传输线将较高fet的漏极互连，并将放大的信号路由到RFOUT引脚。围绕每个单元的额外电路设计技术优化了宽带工作的整体性能。这种体系结构的主要好处是在整个带宽上保持高性能，远远超过单个基本单元所能提供的性能。这种结构的简化示意图如图38所示。

VDD建议采用容性旁路，如图39所示的典型应用电路。通过向VGc2施加直流电压，可以实现增益控制。如果使用增益控制，建议对Vcs2进行容性旁路，如图所示。如果不使用增益控制，Vss2可以保持开路或容性旁路，如图39所示。