TPS736 低压差 (LDO) 线性稳压器采用一种新的拓扑结构:采用电压跟随器配置的 NMOS 传输晶体管。这种拓扑结构使用低 ESR 的输出电容器时很稳定,甚至允许在没有电容器的情况下工作。该器件还提供高反向阻塞 (低反向电流) 和接地引脚电流,在所有输出电流值上几乎恒定。
TPS736 采用先进的 BiCMOS 工艺,可在提供极低的压差电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未使能时,电流消耗低于 1μA,专为便携式应用而设计。极低的输出噪声 (30μVRMS 和 0.1μF CNR) 专为为 VCO 供电而设计。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
*附件:TPS736 无电容器、NMOS、400mA、具有反向电流保护功能的低压差稳压器 数据表.pdf
特性
- 在没有输出电容器或任何值或类型的电容器的情况下保持稳定
- 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
- 超低压差电压:75mV (典型值)
- 出色的负载瞬态响应 — 带或不带可选输出电容器
- NMOS 拓扑结构提供低反向漏电流
- 低噪声:30μVRMS 典型值 (10Hz 至 100kHz)
- 0.5% 初始精度
- 线路、负载和温度的总体精度为 1%
- 关断模式下的最大 IQ 小于 1μA
- 热关断和指定的最小/最大电流限制保护
- 提供多种输出电压版本:
- 1.20V 至 5.0V 的固定输出
- 1.20V 至 5.5V 的可调输出
- 提供自定义输出
参数
方框图
1. 产品概述
- 型号:TPS736
- 特点:
- 无电容器或任何类型电容器均可稳定工作
- 输入电压范围:1.7V至5.5V
- 超低压差电压:75mV(典型值)
- 400mA输出电流
- NMOS拓扑结构,提供低反向泄漏电流
- 低噪声:30μV RMS(典型值,10Hz至100kHz)
- 反向电流保护功能
2. 主要规格
- 封装类型:SOT-23(DBV)、SOT-223(DCQ)、VSON(DRB)
- 工作温度范围:-40°C至125°C
- 输出电压版本:
- 固定输出:1.20V至5.0V
- 可调输出:1.20V至5.5V
- 定制输出可选
- 精度:
- 初始精度:0.5%
- 整体精度(线路、负载和温度):1%
- 关断模式静态电流:小于1μA
3. 功能特性
- 稳定性:无需输出电容器即可稳定工作,适用于各种电容器类型和值
- 反向电流保护:NMOS通道提供固有的反向电流阻挡
- 热保护:具有热关断和最小/最大电流限制保护
- 噪声降低:通过NR引脚连接旁路电容可进一步降低输出噪声
4. 应用领域
5. 电气特性
- 线路调节:0.01%/V
- 负载调节:0.002%/mA(1mA至400mA)
- 电源抑制比(PSRR) :
- 100Hz:58dB
- 10kHz:37dB
- 启动时间:600μs(Vout = 3V, Rl = 30Ω, Cout = 1μF, CNR = 0.01μF)
6. 设计指南
- 输入电容:建议使用0.1μF至1μF的低ESR电容器,以改善瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制
- 输出电容:虽然不需要输出电容,但添加1μF的电容器可以改善负载瞬态响应
- 噪声降低电容(CNR) :连接至NR引脚,可显著降低输出噪声
- 热设计:根据功耗和环境温度考虑散热解决方案
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