ADH8411S 0.01 GHz至10 GHz低噪声放大器技术手册

概述

ADH8411S-CSH 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 至 10 GHz。

ADH8411S-CSH 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (P SAT ) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI 公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

ADH8411S-CSH 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。

ADH8411S-CSH 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。

在本数据手册全文中，多功能引脚（例如 RF OUT /V DD ）可能使用引脚全称或引脚的单一功能指代，例如 RF OUT （如果仅与该功能相关时）。有关其他应用和技术信息，请参阅“商业太空产品计划”手册和 HMC8411 数据手册。
数据表：*附件：ADH8411S 0.01 GHz至10 GHz低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 低地球轨道 (LEO) 卫星
• 军事通信

特性

• 低噪声指数：1.7 dB（典型值）
• 单一正电源（自偏置）
• 高增益：15.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：34 dBm（典型值）
• 6 引脚 2 mm × 2 mm LFCSP

商业空间特性

• 支持航空航天应用
• 合规证书
• 晶圆扩散批次具有可追溯性
• 老化测试、耐久试验和德尔塔分析
• 辐射批次验收测试 (RLAT)
• 总电离辐射剂量 (TID)
• 辐射基准
• 有效线性能量传输 (LET) 不发生 SEL：≤ 62.4 MeV-cm2/mg

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征