可同时针对：二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振BW-4022C半导体综合测试系统

BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：

【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.

适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。

【二极管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /稳压Diode/ZD/SBC/TVS/整流桥堆〗进行测试。

【压敏电阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗进行测试。

【锂亚电池】

〖Kelvin/电池空载电压（Vbt）/负载电压(Vbt_load ) /测试电流（0-10A 恒流 ）/负载电压变化值（▲Vbt_load）/电池内阻(Vbt Res) 等进行测试。

【晶振】

〖震荡频率(Freq_osc )/谐振电阻（Ri）/频率精度(Freq_ppm)/测试频率范围（10kHz~10MHz）等测试。

【其他测试功能可定制拓展】【产品详细参数资料请向厂家索要】

BW-4022C半导体综合测试系统是针对于半导体器件开发专用测试的系统，经我公司产品升级与开发，目前亦可以对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种器件进行参数测试，性能、精度、测试范围均满足客户测试需求，可用于客户端来料检验、研发分析、 产品选型等重要检测设备之一。

BW-4022C 半导体综合测试系统采用大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，程控软件基于 Lab VIEW 平台， 填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁 灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，根据不同器件更换测试座配合，系统可适配设置完成对二极管、光电耦合器、压敏电阻、锂亚电池、晶振5种元件的静态参数测试。

该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具三部分组成，并接受客户端MES系统进行测试指令：方案选取/开始/暂停/停止/数据上传等操作执行，并可将测试数据上传至MES系统由客户端处理。

一、 设备规格与环境要求

物理规格

主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm) 台式

主机重量：＜25kg

产品色系：白色系

工况环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过 1500m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或可燃性气体，导电粉尘等；

供电要求

电源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

二、测试种类与技术指标

1、光耦测试：

输入（Input）相关参数

·正向电压（Forward Voltage）：

·符号：Vf

·最小值：无

·典型值：1.2 V

·MAX值：1.4 V

·单位：V

·测试条件：If=20mA

·反向电流（Reverse Current）：

·符号：Ir

·最小值：无

·典型值：无

·MAX值：10 μA

·单位：μA

·测试条件：Vr=4V

输出（Output）相关参数

·集电极暗电流（Collector Dark Current）：

·符号：Iceo

·最小值：无

·典型值：无

·MAX值：100 nA

·单位：nA

·测试条件：Vce-20V,If=0

·集电极 - 发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

·符号：BVceo

·最小值：80 V

·典型值：无

·MAX值：无

·单位：V

·测试条件：Ic-0.1mA,If=0

·发射极 - 集电极击穿电压（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

·符号：BVeco

·最小值：6 V

·典型值：无

·MAX值：无

·单位：V

·测试条件：Ie-10μA,,If=0

·集电极电流（Collector Current）：

·符号：Ic

·最小值：2.5 mA

·典型值：无

·MAX值：30 mA

·单位：mA

·测试条件：If=5mA,Vce-5V

·电流传输比（Current Transfer Ratio）：

·符号：CTR

·最小值：50 %

·典型值：无

·MAX值：600 %

·单位：%

·测试条件：If=5mA,Vce-5V

传输特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相关参数

·集电极 - 发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

·符号：Vce

·最小值：无

·典型值：0.1 V

·MAX值：0.2 V

·单位：V

·测试条件：If=20mA,Ic-1mA

·隔离电阻（Isolation Resistance）：

·符号：Riso

·最小值：Ω

·典型值：Ω

·MAX值：无

·单位：Ω

·测试条件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上参数基于晶体管LTV-816-Cu series特性参数）

·三极管管型光耦

·可控硅光耦

·继电器光耦

2、二极管类测试

·二极管类：二极管

·Diode

·Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（选配）；

二极管类：稳压二极管

·ZD（Zener Diode）

·Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二极管类：稳压二极管

·ZD（Zener Diode）

·Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

·Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二极管类： 瞬态二极管

·TVS

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；

二极管类：整流桥堆

·Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二极管类：三相整流桥堆

·Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、压敏电阻测试

·Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（参数配置精度与二极管一致）

4、锂亚电池测试

·Kelvin(0~150mV)

·电池空载电压（Vbt） 0-100V +-0.2%

·负载电压(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 测试电流（0-10A 恒流 ）

·负载电压变化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 测试电流（0-10A 恒流 ）

·电池内阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 测试电流（0-10A 脉冲 ）

5、晶振测试

·震荡频率(Freq_osc )

·谐振电阻（Ri）

·频率精度(Freq_ppm)

·测试频率范围（10kHz~10MHz）

测试参数	符号	量程	测试范围	测试条件	测量精度
震荡频率	Fosc	10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz	10kHz~10MHz		0.1Hz
谐振电阻	Rz	0~100K			±10%
频率精度	ppm		0-1000		0.01%

三、参数配置与性能指标

1.电流/电压源 VIS自带VI测量单元

1）加压（FV）

量程	分辨率	精度
±40V	19.5mV	± 1%设定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V	10mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±10mV
±10V	5mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±5mV
±5V	2mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV
±2V	1mV	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mV

2)加流(FI)：

量程	分辨率	精度
±100A	195mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±100mA
±40A	19.5mA	±2% 设定值+FullRange0.1%±30mA
±4A	1.95mA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	119.5uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	11.95uA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	195nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA	19.5nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA	1.95nA	±2% 设定值+FullRange0.1%±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

3). 电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100A	12.2mA	±5% 读数值+FullRange0.2%±100mA
±40A	1.22mA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mA
±4A	122uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	12.2uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	1.22uA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	122nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2uA
±400uA	12.2nA	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200nA
±40uA	1.22nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±20nA

4). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±40V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±20V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±5V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

2. 数据采集部分 VM （16位ADC，100K/S采样速率）

1). 电压测量(MV)

量程	分辨率	精度
±2000V	1.22mV	±1% 读数值+FullRange0.1%±20mV
±100V	122uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±200uV
±1V	1.22uV	±0.5% 读数值+FullRange0.1%±20uV

2). 漏电流测量(MI)

量程	分辨率	精度
±100mA	30uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30uA
±10mA	3uA	±1% 读数值+FullRange0.1%±3uA
±1mA	300nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±300nA
±100uA	30nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±30nA
±10uA	3nA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±1uA	300pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±10nA
±100nA	30pA	±1% 读数值+FullRange0.1%±5nA

3

. 高压源 HVS(基本)16位DAC

1).加压(FV)

量程	分辨率	精度
2000V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA	30.5mV	±0.5% 设定值+FullRange0.1%±500mV

2).加流(FI)：

量程	分辨率	精度
10mA	4.88uA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10uA
2mA	488nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±2uA
200uA	48.8nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±200nA
20uA	4.88nA	±1% 设定值+FullRange0.1%±20nA
2uA	488pA	±2% 设定值+FullRange0.1%±10nA

审核编辑 黄宇