ADRF5030 100MHz至20GHz、非反射式硅SPDT开关技术手册

概述

ADRF5030 是非反射式单刀双掷 （SPDT） 开关使用绝缘体上硅 （SOI） 制造 过程。ADRF5030 的工作频率范围为 100 MHz 至 20 GHz，具有 插入损耗低于 1.2 dB，隔离度高于 45 分贝。该器件的 RF 输入功率处理能力为 RFC 和 RFx 的平均值为 33 dBm/峰值为 36 dBm 路径、终止路径和 RFC 和 RFx 端口。ADRF5030采用双电源电压工作 ±3.3 V。ADRF5030采用互补金属氧化物 半导体 （CMOS） 和低压晶体管到晶体管逻辑 （LVTTL） 兼容控制。
数据表：*附件：ADRF5030 100MHz至20GHz、非反射式硅SPDT开关技术手册.pdf

ADRF5030 还可以在单个正电源电压下工作 （V DD） 施加，同时将负电源电压 （V SS ） 连接到 地。在这种工作条件下，小信号性能 同时保持开关特性、线性度和功率 处理性能被降低。有

ADRF5030 与 ADRF5022 引脚兼容，并且 ADRF5026，并且引脚与 ADRF5031 兼容，这是一种慢速开关、 低截止版本，工作频率范围为 9 kHz 至 20 GHz。

ADRF5030 封装在 20 端子、3 mm × 3 mm 的封装中， 符合 RoHS 标准，基板栅格阵列 （LGA）。ADRF5030 运行 从 −40°C 到 +105°C。

应用

• 测试仪器
• 军用无线电、雷达、电子对抗措施 （ECM）
• 微波无线电和甚小孔径终端 （VSAT）
  特性
• 宽带频率范围，100 MHz 至 20 GHz
• 非反光设计
• 低插入损耗
  • 0.1 GHz 至 6 GHz 之间为 0.7 dB（典型值）
  • 6 GHz 至 12 GHz 之间为 0.9 dB（典型值）
  • 1.2 dB（典型值），最高 20 GHz
• 高隔离度
  • 100 MHz 至 6 GHz 之间为 55 dB（典型值）
  • 6 GHz 至 12 GHz 之间为 50 dB（典型值）
  • 45 dB（典型值），最高 20 GHz/li>
• 高输入线性度
  • P0.1dB：>36 dBm（典型值）
  • IP3：60 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力
  • 直通路径：36 dBm 峰值 / 33 dBm 平均值
  • 端接路径：36 dBm 峰值 / 33 dBm 平均值
  • 热开关路径：36 dBm 峰值/33 dBm 平均值
• CMOS/LVTTL 兼容
• 无低频杂散;无负电压发生器
• 快速 RF 开关时间：70 ns
• RF 建立时间 （0.1 dB）：95 ns
• 单电源工作能力（VDD = 3.3 V，VSS = 0 V）
• 20 引脚、3 mm x 3 mm LGA 封装
• 引脚兼容ADRF5022 & ADRF5026

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5030有两个电源引脚(VDD和Vss)和两个控制引脚(EN、CTRL)。图16显示了电源引脚的外部元件和连接。Vpo和Vss引脚通过一个100 pF电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。当RF线路偏置电压不是0v时，除了RF引脚上的隔DC电容之外，偏置和工作不需要其他外部元件，详情参见表6。

RF端口内部匹配50ω，引脚排列设计用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波导(CPWG)。图17显示了RF基板的referencedCPWG RF走线设计，采用8密耳厚的RogersRO4003C电介质材料。对于1.5密耳的成品铜厚度，建议使用14密耳宽和7密耳间隙的RF走线。