概述
ADRF5010 是一种非反射式单刀单掷 (SPST) 封装 开关采用硅工艺制造。
该ADRF5010的工作频率范围为 0.1 GHz 至 55 GHz,带插入 损耗低于 2 dB,隔离度高于 28 dB。这 该器件具有 30 dBm 的射频输入功率处理能力,用于 直通路径和 30 dBm 热切换。
该ADRF5010需要 ±3.3 V 的双电源电压。设备 采用 CMOS 和 LVTTL 兼容控制。
ADRF5010 也可采用单正电源供电 电压 (VDD) 施加,而负电源电压 (VSS) 绑在地上。在这种工作条件下,小信号性能 同时保持开关特性、线性度和 功率处理性能被降级。
数据表:*附件:ADRF5010硅SPST开关,非反射式,100MHz至55GHz技术手册.pdf
ADRF5010 采用 14 引脚 2.25 mm x 2.25 mm 焊盘网格封装 阵列 [LGA] 封装,可在 -40°C 至 +105°C 范围内工作。
应用
- 测试和仪器
- 蜂窝基础设施:5G 毫米波
- 军用无线电、雷达、电子对抗措施
- 微波无线电和极小孔径终端
- 工业扫描仪
特性 - 超宽带频率范围:0.1 GHz 至 55 GHz
- 非反射端口,高功率端接路径
- 对称端口
- 低插入损耗
- 20 GHz 时 1.0 dB(典型值)
- 1.5 dB(典型值,40 GHz)
- 2.0 dB(典型值,55 GHz)
- 隔离
- 50 GHz 时为 30 dB(典型值)
- 28 dB(典型值,55 GHz)
- 高输入线性度
- P0.1dB:>33 dBm(典型值)
- 输入 IP3 >60 dBm(典型值)
- 高功率处理 T型外壳 = 85 °C
- 直通路径
- 峰值:36 dBm
- 脉冲:33 dBm
- 连续波:30 dBm
- 直通路径
- 终止路径
- 峰值:33 dBm
- 脉冲 33 dBm
- 连续波:30 dBm
- 热插拔
- 峰值:33 dBm
- 脉冲:33 dBm
- 连续波:30 dBm
- CMOS/LVTTL 兼容
- 射频开关时间:30 ns
- RF 建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):50 ns
- 双电源供电:±3.3 V
- 14 引脚、2.25 mm x 2.25 mm、LGA 封装
框图
引脚配置
接口示意图
ADRF5010有两个电源引脚(VDD和Vss)和一个控制引脚(CTRL)。图17显示了电源引脚的外部元件和连接。Vpo和Vss引脚通过一个100 pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和操作不需要其它外部元件,当RF线路偏置电压不同于0v时,RF引脚上的DC隔直电容除外,详情参见“引脚配置和功能描述”部分。
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