士兰微厦门 8 英寸碳化硅功率器件产线（一期）封顶：力争明年一季度投产
3 月 3 日消息，国内功率半导体 IDM 企业士兰微电子今日宣布，其投资 70 亿元建设的厦门海沧区 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生产线（一期）已于 2 月 28 日全面封顶。
士兰微表示该企业最大努力争取在今年年底实现一期生产线的初步通线，明年一季度投产，到 2028 年底最终形成年产 42 万片 8 英寸碳化硅功率器件芯片（晶圆）的生产能力。
士兰微厦门 8 英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线还包含投资规模达 50 亿元的第二期，两期合计生产能力可达每年 72 万片 8 英寸碳化硅功率器件芯片（晶圆）。
来源：IT之家
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