英特尔18A与台积电N2工艺各有千秋

TechInsights与SemiWiki近日联合发布了对英特尔Intel 18A(1.8nm级别)和台积电N2(2nm级别)工艺的深度分析。结果显示，两者在关键性能指标上各有优势。

据TechInsights分析，台积电N2工艺在晶体管密度方面表现突出，其高密度(HD)标准单元的晶体管密度高达313MTr/mm²，远超英特尔Intel 18A的238MTr/mm²和三星SF2/SF3P的231MTr/mm²。这一数据表明，在追求晶体管集成度方面，台积电N2工艺具备显著优势。

然而，TechInsights同时指出，台积电N2工艺在HD标准单元上的晶体管密度优势可能并不适用于所有类型的标准单元。在性能方面，英特尔Intel 18A工艺则展现出了领先地位，预计其将超越台积电的N2工艺和三星的SF2工艺。

综上所述，英特尔Intel 18A与台积电N2工艺各有其独特优势。台积电N2工艺在晶体管密度上占据上风，为追求高度集成的应用场景提供了有力支持;而英特尔Intel 18A工艺则在性能方面表现出色，有望满足对计算性能有极高要求的用户需求。