高可靠性GPP芯片制备方法与流程

背景技术:

GPP(玻璃钟化)芯片是目前高新技术的主流。GPP工艺分为三种工艺实现方法:①刀刮法(②光阻法③电泳法，然而这三种方法均有优缺点，刀刮法成本低但漏电不均匀:光阻法参数一致性虽较好但成本较高;电泳法一次性投资大，环保成本高，废弃物不易处理。目前对半导体表面钝化的要求越来越高，GPP芯片应具备：1、良好的电气性能和可靠性，包括电阻率、介电强度、离子迁移率等，材料的引入不应给器件带来副作用；2、是良好的化学稳定性，具有一定的抗化学腐蚀能力：3、是可操作性，工艺简单、重复性好，能与器件制造丁艺相容，材料的膨胀系数要与硅材料相一致或接近:四是经济性，可大批量生产，制造成本要低，有市场竞争力，材料和工艺有强大的生命力和开发潜力。然而现在市面上的方法制备的GPP芯片存在这样那样的问题，不能满足需要。

技术特征:

1.-种高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，包括如下步：
（1）将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；
（2）采用HF:HNO3:HAC混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；
（3）采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氨；
（4）刮涂玻璃粉，烧结玻璃;
（5）在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；
（6）进行二次光刻并镀Ni，然后镀Ni-Si合金，镀完Ni-Si合金后再次镀Ni;7)测试；
（7）背面激光划片。

2.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤2)中HF:HNO3:HAC的体积比为0.8~1.2:0.8~1.2:1.8~2.2，所述HF、HNO3、HAC的质量分数浓度分别为40~45%、83~93%、33~45%。3.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氢掺氮的条件为650℃。7509C
4.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤4)在820℃~850℃，N2+02条件下进行烧结玻璃。
5.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤5)PECVD的工作条件为380℃~420℃
6.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤6)中在580~620℃、N2+H2条件下镀N1-Si合金。

审核编辑 黄宇