2024年度盘点：创新赋能，锐意前行

2024年，面对充满挑战且不确定的市场环境，英飞凌始终秉持创新驱动技术领先的原则，不断突破技术与产品性能的边界，接连推出了多款重量级产品。今日，小编带你一起盘点2024年的高光时刻。

全新2000V CoolSiC MOSFET和二极管，

业界首发

作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiC MOSFET 2000V采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。与1700V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。该系列得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。最新推出的采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC肖特基二极管2000V G5系列与其完美适配。目前，该系列产品以及相应的评估板均已上市。

新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2，

达到业界单芯片最大功率密度

英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V G2技术，在确保质量和可靠性的前提下，相较于上一代产品，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）优化了20%，进一步提升了整体能效。采用的.XT技术将芯片的瞬态热阻降低了25%甚至更高。与传统的键合技术相比，.XT技术不仅使芯片性能提升了15%，还将其使用寿命延长了80%。CoolSiC MOSFET G2的最大工作结温从175摄氏度提升到200摄氏度，这一改进进一步增强了产品的坚固耐用性，并为用户提供了更大的设计灵活性，使在过载条件下的开发设计成为可能。

最新推出的1200V CoolSiC MOSFET G2 TO-263-7封装以及TO-247-4-HC封装，分别实现了7毫欧和8毫欧的超低导通电阻，达到业界单芯片最大功率密度的领先水平。在达到最高功率密度和最低导通电阻的同时，CoolSiC MOSFET G2还保证2uS的短路耐受时间。CoolSiC MOSFE新一代G2技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率，为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。

高性能CIPOS Maxi智能功率模块，

适用于功率高达4千瓦的工业电机驱动器

高性能CIPOS Maxi智能功率模块IM12BxxxC1系列基于最新的 TRENCHSTOP IGBT7 1200V和快速二极管EmCon 7技术，具有卓越的控制能力和性能，大大提高了效率和功率密度。采用的DIP 36x23D封装，提高可靠性、并优化PCB尺寸，降低系统成本，使其成为1200V IPM的最小封装，在同类产品中具有最高功率密度和最佳性能。隔离式双列直插模制外壳的设计，具有出色的热性能和电气隔离性能，满足苛刻设计的EMI和过载保护要求。凭借其多功能引脚，这款IPM可为各种用途提供高度的设计灵活性。该产品组合三款新产品已全部上市，电流规格从10A到20A不等，输出功率最高可达4.0kW，适用于电机驱动、泵、风扇、热泵以及供暖、通风和空调用室外风扇等中低功率驱动器应用。

全新4.5kV XHP 3 IGBT模块，

让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

为了顺应小型化和集成化的全球趋势，XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管和TRENCHSTOP IGBT4 450A半桥IGBT模块，以及一款带有发射极控制E4二极管的450A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4kV。通过将模块并排放置的创新设计，简化了并联设计，使得模块在并联时只需要一个直流母线即可实现，有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸，减少元器件的使用数量。目前，两种型号的IGBT模块FF450R45T3E4_B5和DD450S45T3E4_B5现已上市，适用于2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输的应用市场。

新型固态隔离器iSSI系列，

切换速度更快，功耗降低高达70%

全新固态隔离器产品iSSI产品系列可实现更快速、可靠的电路交换，并拥有光电固态所不具备的保护功能。这些隔离器采用无磁芯变压器技术，支持高20倍的能量传输的同时，还具备了电流和温度保护功能，实现更高的可靠性和更低的成本。与目前使用的传统的固态隔离器驱动SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固态隔离器可驱动英飞凌的OptiMOS和CoolMOS，其功耗降低高达70%，进一步提高电子和机电系统的效率，适用于先进电池管理、储能、可再生能源系统，以及工业和楼宇自动化系统应用。

新型EiceDRIVER Power全桥变压器

驱动器系列，适用于结构紧凑、经济高效

的栅极驱动器电源

EiceDRIVER Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列采用具有功率集成技术和多项优化功能的紧凑型TSSOP8引脚封装，可产生非对称输出电压，通过独特的占空比调整功能，专为非对称式栅极驱动器电源进行了优化。该系列支持最高20V宽输入电压范围，还集成了温度、短路和欠压锁定（UVLO）保护以防止意外系统故障，适用于需要隔离式栅极驱动器的工业和消费类应用，包括太阳能应用、电动汽车充电、储能系统、焊接、不间断电源、驱动应用等。目前，该系列四个型号均已上市：2EP100R和2EP101R专为IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器电源的低元件数设计进行了优化；2EP110R允许对占空比进行微调，使输出电压比与SiC和GaN功率开关的应用要求相匹配；2EP130R专为高度灵活的设计进行了优化，以满足不同的应用要求。