SK海力士2024年重要事件回顾

2024年，伴随着人工智能创新浪潮的蓬勃发展，全球半导体需求显著回暖。为此，各大晶圆厂纷纷加快了芯片的生产节奏，以满足下一代技术进步所需的庞大计算能力。

在这场如旋风般迅猛发展的浪潮中，SK海力士脱颖而出，成为市场的佼佼者。在这一年中，公司不仅成功克服了诸多挑战，更在塑造半导体行业未来的进程中发挥了至关重要的作用。本文将通过回顾SK海力士今年的8个重要事件，重温高管们的见解，并重点展示公司在面向人工智能存储器市场、业务投资及可持续发展等领域所取得的显著进展。

投资里程碑：

印第安纳州先进封装生产基地达成协议，生产下一代面向AI的存储器

SK海力士今年4月宣布投资38.7亿美元，在美国印第安纳州建立先进封装生产基地，并将配备领先的生产线，专门用于批量生产下一代HBM1以及未来几代芯片产品。项目建成后，将显著增强全球半导体供应链，以积极应对全球对面向人工智能的存储器产品需求激增的挑战。

1高宽带存储器（HBM，High Bandwidth Memory）：一种高附加值、高性能存储器，可将多个DRAM芯片通过硅通孔技术（TSV）垂直互联。

8月，SK海力士与美国商务部签署了一份条款备忘录，确保获得大量资金和其他财务激励，该项目的势头进一步增强，这一举措彰显了公司致力于建立人工智能技术新中心的决心和承诺。

SK海力士CEO郭鲁正表示：”我们很高兴成为业内首家在美国建立面向人工智能产品的先进封装设施的企业。该生产基地将显著增强供应链的韧性，并推进我们实现提供无与伦比功能、专为面向AI设计存储芯片的这一宏伟目标。”

突破瓶颈：

全球首款12层堆叠HBM3E率先量产

自2013年推出全球首款HBM以来，SK海力士在每一次产品迭代中不断突破内存性能的极限。2024年9月，SK海力士正式启动全球首款12层HBM3的量产，这一里程碑式的进展标志着其在HBM领域探索的新篇章。12层HBM3E不仅拥有现有HBM系列产品中的最高容量（36GB），更以业界领先的速度脱颖而出，经过优化，其卓越性能能够充分满足人工智能应用日益增长的需求。

SK海力士AI Infra担当金柱善社长在评论这一成为2024年新闻室点击量最高的报道时，深刻强调了这一突破的重要性。

他表示：”我们再次突破了技术壁垒，证明了我们在面向AI的存储器市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代存储器产品，以巩固‘全球顶级面向AI的存储器供应商’的地位。”

在这一积极势头的基础上，公司目前正在研发16层HBM3E，预计将带来更高的带宽，并为人工智能的进一步发展奠定坚实基础。

促进增长：

韩国龙仁半导体集群投资

随着SK海力士不断探索以满足日益增长的面向人工智能的存储器市场需求，龙仁半导体集群有望成为其长期发展的坚实基石。今年7月，公司承诺投入约9.4万亿韩元（67亿美元），用于建设该项目的首座厂房和业务设施。SK海力士将在该基地建设四座下一代半导体先进厂房和一座半导体合作园区，该基地最终将成为“全球面向AI的半导体生产基地”。

SK海力士制造技术担当金永式副社长强调了该集群在公司未来发展中的举足轻重的作用。

他表示：“龙仁集群将成为SK海力士中长期发展的基础和创新之地，同时大幅提升韩国半导体技术和生态系统的竞争力。”

首座工厂将专注于生产包括HBM在内的先进DRAM产品，并计划在首座厂房内建造“迷你工厂”2，以助力当地小型企业的技术创新与发展。

2迷你工厂（Mini Fab）：具备300毫米晶圆工艺设备，可以验证半导体材料、零部件、设备等的研究设施

加强SSD产品阵容：

为数据中心开发PEB110

9月，SK海力士通过开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘（SSD）PEB110，再次巩固了旗下SSD产品阵容。这款开创性的固态硬盘基于公司的238层4D NAND技术，性能较上一代产品提升一倍，能效提升了30%以上。随着人工智能和大数据应用领域对尖端固态硬盘解决方案需求的迅猛增长，PEB110应运而生，专为满足大规模云计算和数据中心的需求而设计。

SK海力士NAND闪存解决方案委员会安炫副社长表示：“展望未来，我们将继续推进客户验证及量产流程，在持续增长的数据中心SSD市场需求中，巩固全球顶级面向AI的存储器供应商领导者地位。”

继公司超高速DRAM产品取得成功后，此新闻的发布进一步巩固了其在NAND解决方案领域的领先地位。

存储革命：

业界首款321层NAND闪存实现量产

SK海力士持续引领创新记录，于11月宣布其全球首款321层4D NAND闪存已正式进入批量生产阶段。这一里程碑式的成就不仅彰显了SK海力士在堆叠技术领域的重大突破，更是公司首次成功推出300层以上的NAND闪存解决方案。与上一代产品相比，321层NAND闪存具有更高的速度和能效，能够有效应对日益增长的人工智能应用需求。

这项成就巩固了公司在面向AI的存储市场中占据有利地位，尤其是在用于AI数据中心的SSD和端侧AI方面。

SK海力士NAND闪存开发担当崔正达副社长表示：“由此公司不仅在HBM为代表的DRAM方面，同时在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，有望实现持续增长。”

可持续方面获得成功：

荣获IFR亚洲大奖中创新债券奖

SK海力士于4月荣获享有盛誉的IFR亚洲大奖，凭借其创新性的25亿美元三档组合债券斩获最佳ESG债券奖。该三档债券包括旨在显著减少温室气体排放的可持续发展挂钩票据，以及为环境项目提供资金的绿色债券，为公司实现可持续发展目标提供有力支持。

SK海力士财务主管梁炯模表示：“绿色债券为环境创新提供了资金，如提高产品能效、改善废水管理和减少污染等方面。展望未来，债券的受益将继续帮助我们实现环境目标。”

通过将可持续性融入其财务实践，SK海力士正积极响应日益增长的投资需求，这种需求不仅追求经济回报，更兼顾环境效益。

提升股东价值：

公布回报新政策，股息上调25%

11月，SK海力士宣布将年度固定股息（即公司计划每年派发的每股最低股息）上调25%，以此兑现其致力于为股东创造价值的承诺。作为2025年至2027年期间新一轮股东回报政策的重要组成部分，此次股息调整将从每股1200韩元提高至每股1500韩元（1.06美元）。该计划旨在回馈那些在公司致力于成为全球领先的面向AI的存储器供应商道路上给予坚定支持的广大股东。

SK海力士财务担当（CFO）金祐贤副社长表示：“ 我们的目标是，通过实施与公司增长、财务结构稳定相匹配的股东回报政策，与股东携手促进公司的长期繁荣。”

此外，公司还推出了一项举措，旨在通过快速决策来应对市场变化，从而提高企业价值。

对ESG的承诺：

公布可再生材料战略蓝图

作为对ESG持续承诺的重要体现，SK海力士在2月份发布了一项雄心勃勃的战略蓝图，旨在提升半导体生产过程中回收及可再生材料的使用比例。通过这一行业首创的中长期计划，公司将首先设定目标，以回收材料替代半导体所需的基本金属，随后将重点发展可循环利用的塑料材料。

SK海力士先进质量与分析部门担当宋埈豪副社长表示：“作为一家高度重视ESG管理的企业，我们致力于积极参与全球循环经济的构建。在实施这一宏伟蓝图的过程中，我们将携手包括客户和供应商在内的半导体供应链中的所有利益相关者，共同努力，以实现切实可行的成果。”

这份具有前瞻性的战略蓝图不仅凸显了SK海力士在可持续创新领域近期取得的成就，也进一步巩固了其对未来发展的愿景。随着公司在将可持续发展与技术进步相结合方面的领先地位不断提升，它为半导体行业如何塑造一个更环保、更具韧性的未来，树立了令人信服的榜样。

2025年续写卓越之旅

2024年，SK海力士凭借技术突破、战略投资及持续创新等一系列举措，迈向了崭新的高度。这些辉煌成就不仅巩固了公司在面向人工智能的存储器领域的领导地位，更使公司在新兴科技领域中处于前沿。展望2025年，SK海力士将继续书写卓越之旅，积极塑造下一代尖端技术，以全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）为使命，为未来的创新注入强劲动力。