AI带动HBM、LPDDR5畅旺，明年内存市场预判

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在日前由TrendForce集邦咨询主办的MTS2025存储产业趋势研讨会上，集邦分析师们都提到AI对存储乃至半导体产业的推动。

集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，AI应用带动高效能运算芯片需求发烧已持续近两年，高算力应用成为先进制程及晶圆代工产业最大驱动力。

自2025年起，除了AI芯片供货商及CSPs自研芯片，内存供货商也因应高算力需求，争相寻求先进制程晶圆代工伙伴合作；区域竞争下更让全球半导体格局发生重大变革，无论先进工艺与封装工艺都将是未来的致胜关键。

此外晶圆厂上中下游配套IP、设计服务及封测生态已成为AI领域竞赛的必要资源。除先进制程的商机外，Edge AI是否能为需求沉寂已久的成熟制程注入新活力，2025年的晶圆代工产业在Cloud AI与Edge AI的发展下将如何变革成为关注焦点。

集邦咨询研究经理刘家豪认为，明年服务器市场有所改善，随着全球AI服务器市场对云端服务供货商(CSPs)及品牌业者对AI基础设施需求不断增强，预计2025年AI服务器的出货量将持续攀升至约15%。

对于AI对内存产业的影响，TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷结合供给端和需求端、以及明年的市场展望，做了专业深入的分享。

供给端：HBM是否会供过于求？

从2024年内存市场生产位元成长Production bit growth的情况来看，预计三星明年的生产成长14%，SK海力士接近30%，美光增长 23%，NANYA增长16%。DRAM产能方面，三星在今年年底会达到120K，2025年规划达到170K。

HBM成为一大热门内存产品，吴雅婷分析，其中三星HBM产量占其总内存产量的9%，SK海力士占比达14%，美光由于后段产能不多，因此明年总产出占比为6%。美光的HBM验证状况稳定，目前HBM产能不算太多，今年底25K，明年底45K，市场份额还远低于SK海力士和三星电子这两家韩系厂商。

那么，对于明年HBM会否供过于求的问题，吴雅婷表示，我们始终认为明年HBM的需求非常旺盛，HBM的研发历程以及良率提升的难度会远高于之前的产品，因此目前预测的成长数字有可能会下修的。换言之，不会出现供过于求的情况。

吴雅婷指出，HBM的议价方式是一年一次，大约会在每年4月份发生，由于HBM还是比较热门，因此整体来看明年HBM不太会有缺货的情况，并且价格会持续上涨。

2024年HBM3的占比持续提升，而这个现象在明年会更加明显，预计HBM3e在明年将占所有HBM产出的85%。

三星HBM给英伟达的供货主要是配合H20，目前GB200还没有应用，此外三星HBM也为谷歌供货。SK海力士在今年下半年主力提供HBM给英伟达H200、GB200产品。美光HBM供应在明年主要集中在MI325和GB300。

2024年的内存供应，一方面是全球DRAM产能没有增加，而HBM快速渗透，HBM相比于DDR5需要用到更多wafer，因此影响内存供应量，从而带动内存价格上涨。

另一方面，疫情之后整个智能手机的出货量增速放缓，2024年由于内存价格上涨，各家厂商在手机中增加更多内存的意愿降低。若明年增长，则寄希望于AI手机的普及带动单机搭配容量的上升。

吴雅婷指出，明年LPDDR5将成为主流，其中LPDDR5在智能手机上的占比会提升到55%。

需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成长

通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成长性更好，正在成为市场下一个引领力量。

至于为何AI用LPDDR5越来越多，吴雅婷解释说，英伟达的Grace CPU制造工艺是用onboard的方式打在板子上，后续英伟达会将LPDDR5X以模组形式出货。预测算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成长率会超过40%。同时，这将排挤 LPDDR5应用于智能手机的出货量。总体，明年LPDDR5的价格表现会比LPDDR4更有支撑度。

HBM需求方面，英伟达仍然是最大采购客户，今年占比达58%，明年预计是73%。在HBM价格坚挺，如若有价格弱化的情况也主要是BM2e或HBM3。随着HBM3E的持续渗透，明年有望占比超过8成。价格方面，HBM3e 12hi以每字节的价格来看，相比8hi的产品价格要贵10%到 15%。

集邦咨询认为明年HBM的产品均价成长会接近18%，当然并非每家厂商都有如此增长，要视厂商拿到的英伟达份额多少来看。

值得注意的是LPDDR的价格有向下的趋势，过去两三季度智能手机厂商积极消化库存，采购LPDDR4、LPDDR5意愿不强，不过随着库存水位的下降，有望在明年一季度开始畅旺地采购，从而拉动LPDDR的价格。

明年内存行情如何？

吴雅婷表示，预计2025年DRAM产值仍创历史新高，主要原因是HBM这一高价产品的渗透率提升。总体上明年供给位元成长25%，需求成长23%，因此每一家供应商对于明年的产能规划需要非常谨慎。

2025年HBM占内存整体市场份额接近9%，但由于价格高，对整个营收贡献达34%，甚至40%。如果DRAM价格跌幅进一步加深，HBM的占比相应会提高。而几家内存大厂的获利情况要视其在HBM上的竞争力以及HBM的供给量而定。

价格方面，2024年第四季度，终端厂商一直库存去化，造成一般型DRAM（Conventional DRAM）价格下降，每季大概下跌3%到8%，即便加上HBM 7个季度的表现，整体的DRAM价格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年，因为消费型需求没有大回温的迹象，需求仍比较弱，整体的价格主要靠HBM支撑，预计整体DRAM在明年一季度的下跌会到10%，第二季度、第三季度跌幅缩小。

如若Conventional DRAM 的需求减少的同时，供应商压缩产能，那么明年下半年情况可能会有所改变。预计第三季、第四季整体 DRAM 的价格上涨。

Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市场表现不同，LPDDR4X供应量大，随着智能手机向 LPDDR5迁移，LPDDR4的价格走势面临挑战。而LPDDR5X在AI上应用越来越广泛，表现更稳健。

HBM3e依旧是明年的重点，占比到80%以上，尤其在12hi的产品，至于三大厂商的市场份额竞争，还得看部分厂商在英伟达的推进进度。

总体上，AI、通用服务器的内存需求表现良好，期待消费电子的需求增长，同时内存厂商调控Conventional DRAM的产能需因时而动。