安森美推动数据中心能效革新

随着数据中心为了满足人工智能（AI）计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。与一般的搜索引擎请求相比，搭载AI的引擎需要消耗超过10倍的电力。加快功率半导体的创新以改善能效是实现这些技术大趋势的关键。安森美（onsemi）的PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合可以显著降低能量转换过程中的功率损耗，将对下一代数据中心的需求产生积极的影响。

该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。通过使用PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量 。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代SiC MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。

PowerTrench T10 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在应力下的最佳性能、可靠性和稳健性。该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架 V3 (ORV3) 基本规范，支持下一代大功率处理器。

安森美凭借其PowerTrench T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的出色表现，成功入围了由elexcon 2024深圳国际电子展和电子发烧友网联合发起的AI年度创新产品奖。这表明了安森美的这些产品在技术创新和行业影响方面得到了认可。

安森美加速SiC创新

安森美提供智能电源和智能感知技术，加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美位列《财富》美国500强，也被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。

SiC是电动汽车和光伏逆变器等应用的关键技术。安森美是业内少有的端到端SiC制造商，包括 SiC 晶锭批量生长、晶圆制造、外延、器件制造、出色的集成模块和分立封装方案，掌控着从衬底到最终模块的每一个生产步骤，在保持产品质量和性能的同时还能优化成本、简化运营、优化效率并保证供应。

为推进全球电气化转型，安森美加速SiC创新，宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代SiC产品。最新推出的EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%，该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗。由于能够在更高的开关频率和电压下运行，EliteSiC M3e MOSFET可有效降低电源转换损耗，这对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足可持续人工智能引擎指数级增长的能源需求。

此外，安森美还提供更广泛的智能电源技术，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器、电子保险丝等，并均可与 EliteSiC M3e 平台配合使用。通过这些安森美优化和协同设计的功率开关、驱动器和控制器的端到端一体化技术组合，可实现多项先进特性集成，并降低整体系统成本。

安森美因其在智能电源和智能感知技术领域的卓越贡献，已成功入围由elexcon 2024深圳国际电子展和电子发烧友网联合发起的年度领军企业奖。