PD快充芯片U8724AH集成实现更高效的电源系统管理

PD快充芯片U8724AH集成实现更高效的电源系统管理

氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题。在许多应用中，GaN能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。深圳银联宝科技新推出的集成E-GaN的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关PD快充芯片U8724AH，内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压快速充电器、适配器的应用场景！

PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片采用准谐振控制方式，最高支持220kHz开关频率，适用于高功率密度的交直流转换器设计。

PD快充芯片U8724AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障 GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8724AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

U8724AH

PD快充芯片U8724AH系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。

PD快充芯片U8724AH采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8724AH采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

PD快充芯片U8724AH通过进一步降低开关频率，减小开关损耗，优化系统轻载效率，可以简化许多挑战，从而使您可以专注于更广泛的电源系统管理！