2017年晶圆代工厂前十名,台积电领衔

根据拓墣产业研究院最新报告指出，受到高运算量终端设备以及数据中心需求的带动，2017年全球晶圆代工总产值约573亿美元，较2016年成长7.1%，全球晶圆代工产值连续五年年成长率高于5%。

从应用来看，高运算量相关应用持续带动半导体产业对先进工艺的需求，2017年10nm工艺节点开始放量，估计2017年全年10nm节点营收将占晶圆代工整体市场的6.5%。而2017年半导体整体产值年成长率7.1%当中，超过95%的成长动能来自10nm的销售贡献，显示10nm工艺的开出成为2017年晶圆代工产值成长最重要的引擎。

观察2017年全球前十大晶圆代工业者排名，整体排名与2016年相同，台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、联电分居前三，其中台积电产能规模庞大加上高于全球平均水平的年成长率，市占率达55.9%，持续拉大与竞争者的距离；全球排名第二的格罗方德受惠于新产能的开出与产能利用率提升，2017年营收呈现年增8.2%的相对高成长表现。

在晶圆代工市场排名第三的联电于今年量产14nm，但仅占全年营收约1%，然而，在整体产能提升与产品组合转换带动下，实际营收年成长率达6.8%；而与台积电同为10nm工艺技术先驱的三星(Samsung)，则因采用的大客户仅有高通(Qualcomm)，致使成长受限，排名第四；排名第五的中芯虽然持续扩大资本支出，然而，受限于2017年实际开出的产能有限与28nm良率的瓶颈未突破，使得成长率低于全球市场平均。

高塔半导体(TowerJazz)及华虹宏力则透过产能扩增，在市场对8吋厂需求持续畅旺下，带来大于10%的年成长；力晶则因调升代工业务比重，交出高成长率成绩单。

另一方面，在5G与电动车的需求驱使下，可观察到晶圆代工业者积极的投入第三代半导体材料GaN及SiC的开发，如台积电提供GaN的代工服务及X-Fab公布SiC晶圆代工业务将于2017第四季贡献营收。

展望2018年，除7nm先进工艺节点将带动整体产值之外，在2018年为5G试营运重要的观察年下，第三代半导体的代工服务所带来的产业生态链变化，同为市场值得关注的重点。