英伟达为提升RTX 50系列显卡良率,推迟上市计划

芯片设计领域正面临一场由尺寸扩张引发的技术挑战与制造能力的双重考验。据台湾《工商时报》最新报道，英伟达在推进其高端GPU芯片，包括即将发布的RTX 50系列显卡时，遭遇了因材料间热膨胀系数（CTE）差异导致的芯片翘曲及系统潜在故障问题。为解决这一问题，英伟达已着手重新设计GPU芯片的顶部金属层和凸点结构，旨在提升产品良率。这一调整不仅限于AI芯片RTO（重新流片）的修改，还波及了RTX 50系列显卡的上市计划，导致其发布时间从原定的第四季度末推迟至明年第一季度后，市场放量更是延至明年第二季度。

与此同时，英伟达CEO黄仁勋所提及的业界最大GPU——AI芯片Blackwell，其前所未有的规模（由两颗芯片拼接而成）和采用的台积电4纳米先进制程技术，虽带来了高达2080亿个晶体管的强大性能，却也伴随着封装复杂性的显著增加。采用CoWoS-L封装技术，尽管能实现高速数据传输（约10TB/s），但桥接LSI与RDL的极高精度要求，使得任何微小瑕疵都可能造成价值高昂的芯片损失，进一步影响生产效率和成本效益。

这一现象并非英伟达独有，供应链内部消息指出，随着芯片尺寸的持续扩大，整个行业都在面对设计与制造上的新难题。AMD首席执行官苏姿丰亦曾指出，未来芯片的发展需在效能与功耗之间找到新的平衡点，以满足AI数据中心等应用对算力需求的爆炸式增长。因此，调整设计以提高良率、优化封装技术以降低生产风险，已成为行业内的普遍趋势。

综上所述，芯片设计的进化之路充满了挑战与机遇，厂商们正不断探索新技术、优化生产流程，以应对日益增长的算力需求与复杂的制造难题。