季丰对存储器芯片的失效分析方法步骤

由于存储器中包括结构重复的存储单元，当其中发生失效点时, 如何定位失效点成为存储器失效分析中的最为重要的一步。存储器芯片的集成度高，字线(WL)和位线(BL)之间发生微小漏电，或前段Device及后段metal/via的缺陷导致SB和WL/BL Fail，这些失效情况用现有技术SEM定位 或通过光发射方法 (EMMI) 或光致阻变 (0BIRCH) 方法，通常准确性较低, 失效分析的成功率还有待进一步的提高。

存储器芯片确定物理地址/layout & PFIB delayer

季丰对存储器芯片的失效分析方法步骤

加入了纳米探针（Nano-probe）检测失效物理地址的电性参数，可通过电性量测表征transistor 特性曲线；

可利用pulsing功能检测软失效；

最多可实现8根针的电性量测，可提供SRAM Static Noise Margin测试；

配备了高低温模块，可实现-40℃~150℃复现高/低温故障；

可利用电子束吸收电流(EBAC)/ 电子束诱发电流(EBIC) 技术标记缺陷实际位置, 以提高找到失效机制的成功率（如下图所示）。

Nano probe IV/EBIC/EBAC技术

PFA分析, 提供了平面和截面TEM&EDX的三维成像分析，平面TEM（如下图所示）做大范围的观察与确认缺陷位置,再针对可疑的缺陷执行截面分析, 在透射电镜分析中提高了分析成功率，让客户有更全面的观察视野去判断失效问题。

平面TEM技术 （6T SRAM 结构）

纳米探针和TEM分析是目前最佳的存储芯片功能性失效分析方法之一, 季丰电子具备专业的技术能力及高端的设备资源，可为客户提供更完整准确的分析服务。

GIGA FORCE

季丰电子

季丰电子成立于2008年，是一家聚焦半导体领域，深耕集成电路检测相关的软硬件研发及技术服务的赋能型平台科技公司。公司业务分为四大板块，分别为基础实验室、软硬件开发、测试封装和仪器设备，可为芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料装备等半导体产业链和新能源领域公司提供一站式的检测分析解决方案。

季丰电子通过国家级专精特新“小巨人”、国家高新技术企业、上海市“科技小巨人”、上海市企业技术中心、研发机构、公共服务平台等企业资质认定，通过了ISO9001、 ISO17025、CMA、CNAS等认证。公司员工近1000人，总部位于上海，在浙江、北京、深圳、成都等地设有分公司。