瀚海微SD NAND存储功能描述（13）读写擦除超时-电子发烧友网

读、写、擦除超时条件

如果主机在给定的超时时间内没有收到任何响应，则应假定该卡不会响应，并尝试恢复(例如重置卡，电源周期，拒绝等)。

Read

对于标准容量SD存储卡，读取操作的超时条件发生的时间(与卡无关)要么比下面给出的这些操作的典型访问时间长100倍，要么长100毫秒(两者中较低者)。读访问时间定义为CSD参数TAAC和NSAC给出的两个时间之和。在单读操作的情况下，这些卡参数定义了read命令的结束位和数据块的开始位之间的典型延迟。在多读操作的情况下，它们还定义了数据块的结束位和下一个数据块的开始位之间的典型延迟High Capacity SD Memory Card和Extended Capacity SD Memory Card表示TAAC和NSA作为固定值。对于单个和多个读操作，主机应该使用100毫秒的超时(最小)，而不是使用TAAC和NSAC。

Write

写对于标准容量SD存储卡，发生写操作的超时条件的时间(与卡无关)要么比下面给出的这些操作的典型程序时间长90倍，要么长250毫秒(两者中较低的一个)。CSD中的R2w FACTOR字段用于计算读访问时间乘以该因子得到的典型块程序时间，它适用于所有写命令(e.g. SET(CLR)_ write PROTEGT ,program_CSD和the block write commands)。

High Capacity SD Memory Card和Extended Capacity SD Memory Card的R2W_FACTOR为固定值。

对于高容量SD存储卡，所有写操作的最大繁忙长度定义为250ms。

在SDXC卡的情况下，该卡应该尽量保持写操作的忙指示不超过250ms，如果该卡无法维持250ms的忙操作，则该卡可以在以下场景中显示高达500ms的写忙指示，包括单块和多块写:

a)任何写操作中最长500ms的最后一次繁忙，包括单块和多块写。

b)当CMD12停止多个块写时，CMD12响应的繁忙时间高达500ms。

c) CMD23停止写多个块时，最后一个数据块后的繁忙时间高达500ms。

d)除以下情况外，多块写入时块间隙的忙指示最长可达250ms。当卡连续执行两个块写(2*512Bytes)并且跨越物理块边界时，每个块后的繁忙时间可显示为500ms。

特别是无论上述定义如何，CMD20指定的速度级写入模式在任何情况下都应保持写忙，最长可达250ms，直到指示速度级写入结束。

在多块写操作中有两种类型的业务。

(1) block qap(不带CMD12)写忙最大250ms

(2) CMD12后写忙最大250ms (SDXC为500ms)

如果在多块写操作繁忙期间发出CMD12，则主机超时计数器为从CMD12的响应中测量250ms (SDXC为500ms)的超时时间。