首批芯片研发设施时间表已确定

来源：AIP

计划在未来四年内投入运营的三座设施将成为国家半导体技术中心的支柱。

近日，美国商务部宣布了首批三个半导体研发设施的选址程序，这些设施将组成国家半导体技术中心，这是一项由美国《芯片和科学法案》资助的数十亿美元的计划。国家半导体技术中心的运营机构Natcast打算在未来四年内使这些设施投入运营。

这三个设施都将具备研究能力并用于各种附加用途，其中一个设施将于2025年投入运营，用作行政总部；一个设施将于2026年提供用于复杂印刷的极紫外技术；另一个设施将于 2028 年具备先进的原型设计和包装能力。

这些设施旨在召集半导体生态系统中的研究和工业合作伙伴，促进设计和制造方面的进步向商业化的大规模转移。

美国商务部负责标准与技术的副部长Laurie Locascio在一份声明中表示：“鉴于这些领域之间的界限正变得越来越模糊，在半导体和先进封装领域巩固国内研发资产对美国来说是一个独一无二的机会。这些设施将降低参与半导体研究和创新的门槛，并提供最先进的工具和工艺，以便更快地实现向制造业的转变。”

该部门和Natcast还希望创建附属技术中心来满足其他需求，例如使用实验室对新材料和设备、复合半导体、微机电系统、先进光刻或其他专门技术进行早期研究和测试。

美国各州和地区可以通过各自的经济发展组织确定考虑建立制造和包装设施的地区，这些组织将于近段时间收到该部门的调查问卷。该部门将考虑每个地区的半导体产业发展程度、劳动力能力以及私人和公共投资，然后邀请选定的州和地区提供具体地点的信息。

该部门将单独确定符合行政设施要求的地区名单，然后再与州政府人员联系，提出地点和设施。对于极紫外设施，该部门将邀请具有必要技术能力的现有极紫外供应商参与选择和谈判过程。

美国一些国会和州政府官员，包括加利福尼亚州、弗吉尼亚州、德克萨斯州和纽约州的领导人，已经公开敦促该部门将NSTC部件放置在他们的地区。美国加州民主党国会代表团于4月致信该部门，主张将NSTC总部设在该州，这与加州州长Gavin Newsom(民主党) 早前的一封信如出一辙。

过去两周还宣布了半导体开发领域的其他融资机会，包括国家科技创新委员会首次为支持半导体相关教育或培训的实体提供的劳动力融资机会，以及高达16亿美元的资金用于专注于半导体先进封装能力的研发。

审核编辑 黄宇