2N7002L与2V7002L小信号N沟道MOSFET的全面解析

作为电子工程师，在设计电路时，MOSFET是我们常用的器件之一。今天就来详细解析一下 onsemi 公司的 2N7002L 和 2V7002L 这两款小信号 N 沟道 MOSFET，希望能为大家在实际设计中提供一些参考。

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产品概述

2N7002L 和 2V7002L 是适用于小信号应用的 N 沟道 MOSFET，采用 SOT - 23 封装。其中，2V7002L 带有 2V 前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。这两款器件都符合无铅、无卤素/BFR 以及 RoHS 标准。

关键参数

最大额定值

• 电压参数：漏源电压 VDSS 最大为 60Vdc，漏栅电压 VDGR（RGS = 1.0 MΩ）同样为 60Vdc，栅源连续电压 VGS 为 ±20Vdc，非重复脉冲电压 VGSM 为 ±40Vpk。
• 电流参数：在 TC = 25°C 时，连续漏极电流 ID 为 ±115mAdc；TC = 100°C 时，连续漏极电流为 ±75mAdc；脉冲漏极电流 IDM 为 ±800mAdc。

热特性

不同的散热条件下，器件的热特性有所不同：

• FR - 5 板：在 TA = 25°C 时，总器件功耗 PD 为 225mW，25°C 以上需按 1.8mW/°C 进行降额，结到环境的热阻 RJA 为 556°C/W。
• 氧化铝基板：TA = 25°C 时，总器件功耗 PD 为 300mW，25°C 以上按 2.4mW/°C 降额，结到环境的热阻 RJA 为 417°C/W。
• 工作温度范围：结温和存储温度范围为 - 55°C 到 +150°C。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：V(BR)DSS 在 VGS = 0，ID = 10μAdc 时为 60Vdc。
• 零栅压漏极电流：TJ = 25°C（VGS = 0，VDS = 60Vdc）时为 1.0μAdc；TJ = 125°C 时为 500μAdc。
• 栅体泄漏电流：正向（VGS = 20Vdc）时最大为 100nAdc，反向（VGS = - 20Vdc）时最大为 - 100nAdc。

导通特性

• 栅极阈值电压：VGS(th) 在 VDS = VGS，ID = 250μAdc 时，最小值为 1.0Vdc，最大值为 2.5Vdc。
• 导通状态漏极电流：VDS ≥ 2.0VDS(on)，VGS = 10Vdc 时，ID(on) 为 500mA。
• 静态漏源导通电压：VGS = 10Vdc，ID = 500mAdc 时为 3.75Vdc；VGS = 5.0Vdc，ID = 50mAdc 时为 0.375Vdc。
• 静态漏源导通电阻：VGS = 10V，ID = 500mAdc，TC = 25°C 时为 7.5Ω，TC = 125°C 时为 13.5Ω；VGS = 5.0Vdc，ID = 50mAdc，TC = 25°C 和 125°C 时均为 7.5Ω 和 13.5Ω。
• 正向跨导：gFS 在 VDS ≥ 2.0VDS(on)，ID = 200mAdc 时为 80mS。

动态特性

• 输入电容：Ciss 在 VDS = 25Vdc，VGS = 0，f = 1.0MHz 时最大为 50pF。
• 输出电容：Coss 在相同条件下最大为 25pF。
• 反向传输电容：Crss 最大为 5.0pF。

开关特性

• 导通延迟时间：td(on) 在 VDD = 25Vdc，ID = 500mAdc，RG = 25Ω，RL = 50Ω，Vgen = 10V 时最大为 20ns。
• 关断延迟时间：td(off) 最大为 40ns。

体 - 漏二极管额定值

• 二极管正向导通电压：VSD 在 IS = 115mAdc，VGS = 0V 时为 - 1.5Vdc。
• 源极连续电流：IS 为 - 115mAdc。
• 源极脉冲电流：ISM 为 - 800mAdc。

封装与订购信息

这两款器件采用 SOT - 23 封装，有多种订购选项，如 2N7002LT1G 和 2V7002LT1G 为 3000 个一盘的卷带包装，2N7002LT3G 和 2V7002LT3G 为 10000 个一盘的卷带包装等。

实际应用中的考虑

在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景来选择合适的器件。例如，如果是汽车电子应用，2V7002L 是更好的选择，因为它通过了相关认证，能满足汽车环境的可靠性要求。同时，要注意器件的散热问题，根据实际的散热条件来评估器件的功耗和电流承载能力。另外，在开关应用中，开关特性参数对于电路的性能至关重要，需要确保导通和关断延迟时间满足设计要求。

大家在使用这两款 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。