ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机，将芯片密度限制再缩小

ASML再度宣布新光刻机计划。据报道，ASML预计2030年推出的Hyper-NA极紫外光机（EUV），将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。

ASML前总裁Martinvan den Brink宣布，约在2030年将提供新的Hyper-NA EUV技术。目前仍处于开发初期阶段的Hyper-NA将遵循High-NA系统，ASML今年初在英特尔奥勒冈厂首度安装High-NA系统。

报导，van den Brink上月在比利时举行的imecITF World演说指出，“长远而言，我们必须改善我们的光源系统，而且我们也必须采用Hyper-NA。与此同时，我们必须使我们所有系统的生产率提高到每小时400至500片晶圆”。

高数值孔径（High-NA）是将数值孔径（NA）从早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。约三年前，ASML称，高数值孔径将协助芯片制造商在至少10年内达到2nm以下制程节点。现在ASML表示，约在2030年该公司将提供Hyper-NA，达到0.75 NA。意味着或许可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程节点。

不过，ASML也澄清，这是van den Brink关于Hyper-NA的愿景，目前该公司仍在进行可行性研究。根据imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，这是ASML首度将Hyper-NA纳入其路线图。他与ASML合作开发曝光机超过30年。

Kurt Ronse表示，“现在有许多研究要进行，我们能否提高超越0.55至0.75、0.85？Hyper-NA肯定会带来一些新挑战”。

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审核编辑 黄宇