安森美发布第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块

近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200VQDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A)QDual3 模块基于新的场截止第7代(FS7)IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。

应用于150千瓦的逆变器中时，QDual3模块的损耗比同类最接近的竞品少200瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统(ESS)、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求有两种产品可供选择——NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。

随着可再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益增长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用QDual3模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更平稳地将太阳能电力并网到电网中。

此外，该模块还支持将多余的电力储存在储能系统中，能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以将这些模块通过并联来提升输出功率，达到数兆瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显著减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。

QDual3IGBT 模块采用800A 半桥配置，集成了新的第7代沟槽场截止IGBT和二极管技术，采用安森美的先进封装技术，从而降低了开关损耗和导通损耗。得益于FS7技术，裸片尺寸缩小了30%，每个模块可以容纳更多的裸片，从而提高了功率密度，最大电流容量达到800A 或更高。该800A QDual3 模块的IGBTVce(sat) 低至1.75V（175℃），Eoff较低，能量损耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模块还满足汽车应用所要求的严格标准。

“随着卡车和巴士等商用车队的电气化程度提高，以及市场对可再生能源的需求增加，需要能够更高效地发电、储存及分配电力的解决方案。以尽可能低的功率损耗将可再生能源输送到电网、储能系统及下游负载正变得日益关键。”安森美电源方案事业群工业电源部副总裁Sravan Vanaparthy指出，“QDual3采用遵循行业标准的引脚排列，提供出色的能效，为电力电子设计师们提供了一种即插即用的解决方案，并即刻实现系统性能的提升。”