基本半导体推出了一种混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）
传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。
今天的“SiC科普小课堂”——混合式IGBT话题第五讲中，基本半导体市场部总监魏炜将从应用角度为大家介绍不同拓扑中混合式IGBT器件的应用优势如何体现，以及基本半导体的产品选型推荐。
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。
型号列表
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1293文章
4466浏览量
265253 -
肖特基二极管
+关注
关注
5文章
1140浏览量
38290 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3577浏览量
52749
原文标题：SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT的应用场景及基本半导体的相应产品推荐
文章出处：【微信号：基本半导体，微信公众号：基本半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
混合式步进电机
混合式步进电机产品具备1.8°标准步距角，配合驱动器可实现高细分驱动，运行平稳、噪音低。保持转矩覆盖0.8～2.8N·m，机身长度规格齐全，适配不同负载需求。采用脉冲+方向控制方式，接口通用，可直接
发表于 04-09 15:18
氮化硼垫片在第三代半导体功率器件SiC碳化硅IGBT单管内外绝缘应用方案
摘要随着电力电子技术的飞速发展，第三代半导体材料SiC碳化硅因其优异的物理和电学性能，在IGBT单管等高性能器件中得到了广泛应用。绝缘方案作为影响SiC
简单认识博世碳化硅功率半导体产品
博世为智能出行领域提供全面的碳化硅功率半导体产品组合，包括用于逆变器、车载充电器和直流/直流转换器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模块。这些解决方案已面向全球整车厂、
倾佳电子光伏与储能产业功率半导体分立器件从IGBT向碳化硅MOSFET转型的深度研究报告
倾佳电子光伏与储能产业功率半导体分立器件从IGBT向碳化硅MOSFET转型的深度研究报告 倾佳电子（Changer Tech）是
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南
倾佳电子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体
倾佳电子市场报告：国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破
倾佳电子市场报告：国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z在15kW混合逆变器中的应用
倾佳代理的基本半导体碳化硅MOSFET分立器件产品力及应用深度分析
倾佳代理的基本半导体碳化硅MOSFET分立器件产品力及应用深度分析 I. 执行摘要 (Executive Summary) 基本半导体（BA
SiC碳化硅的崛起：现代户用混合逆变器拓扑、趋势及器件级集成技术解析
倾佳电子SiC碳化硅的崛起：现代户用混合逆变器拓扑、趋势及器件级集成技术解析 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新
SiC碳化硅功率半导体：电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势
茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代
碳化硅功率器件的基本特性和主要类型
随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性，成为现代电力电子技术中不可
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势，在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定，哪怕是在超过300℃的高温环境下，打破了
混合式 FTTA-PTTA 光缆产品性能如何?-赫联电子
Molex推出用于手机信号发射塔的混合式 FTTA(光纤接入天线)- PTTA(电源接入天线)光缆解决方案。这种混合式 FTTA-PTTA 光缆不仅能减少安装流程步骤，还可以使发射塔的空间最大化
发表于 07-25 11:31
倾佳电子：SiC碳化硅功率器件革新混合逆变储能系统，引领能效革命
倾佳电子：碳化硅功率器件革新混合逆变储能系统，引领能效革命 功率半导体领域的技术变革，正在重塑新能源世界的能源转换效率边界。 全球能源转型浪潮下，
简述碳化硅功率器件的应用领域
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一种新兴的半导体材料，因其优越的电气特性和热稳定性，正在逐渐取代传统的硅（Si）材料，成为功率器件领域的重要选择。SiC功率
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突
评论