剑指HBM及AI芯片，普莱信重磅发布Loong系列TCB先进封装设备

随着Chat GPT的火爆，整个AI硬件市场迎来了奇点，除了GPU之外，HBM存储也进入了爆发式的增长，根据TrendForce，2022年全球HBM容量约为1.8亿GB，2023年增长约60%达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。如果以HBM每GB售价20美元测算，2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，对应CAGR约37%。

然而，全球的HBM生产基本垄断在SK海力士，三星及美光的手中，其中SK海力士在HBM市场拥有最大的市场份额，它是占据AI GPU市场80%份额的Nvidia的HBM3内存唯一供应商，并于3月份开始量产最新一代HBM3E。美光和三星等竞争供应商正在开发自己的 HBM产品，以阻止SK海力士主导市场。在整个市场中，中国厂商基本完全缺位。

同时，由于美国BIS 2022年针对高算力芯片的规则3A090管控指标较高，英伟达等厂商通过降低芯片互联速率方式对中国持续供应，同时，美国商务部认为中国企业通过海外子公司或者其他海外渠道，规避许可证相关规定获取先进计算芯片。2023年新规修改了3A090芯片及相关物项的技术指标，扩大了针对高算力芯片的许可证要求及直接产品原则的适用范围，并增加了先进计算最终用途管控。在美国的制裁和管控下，无论是先进的GPU，HBM产品，还是制造AI芯片和HBM的先进封装设备，都基本断绝了对中国的供给。

芯片和存储的制造，是卡在中国AI产业脖子上最紧的铁链，其中最关键的设备，除了光刻机之外，在整个AI芯片和HBM的制造工艺中，2.5D或者3D先进封装，芯片堆叠的先进工艺和设备是其核心之一，无论海力士，三星还是美光，现阶段采用的均是TCB工艺，其中，海力士采用TCB MR-MUF, 三星及美光主要以TCB NCF技术，但是随着HBM的发展，随着HBM4的到来，堆叠层数从8层到16层，IO间距持续缩小到10微米左右的，TCB工艺也向着Fluxless演进。

在过去数年，普莱信智能一直和相关客户紧密配合，进行TCB工艺和整机的研发，攻克并构建了自己的纳米级运动控制平台，超高速的温度升降系统，自动调平系统及甲酸还原系统。在此基础上，普莱信智能构建完成Loong系列TC Bonder技术平台，并针对AI芯片，HBM等不同产品的需求，推出Loong WS及Loong F系列产品。

其中Loong WS可以兼容C2W及C2S封装形式，最高精度为±1um, 做到和国外最先进产品同一水准，可以支持TCB NCF， TCB MR-MUF等工艺。

Loong F为下一代的HBM3E和HBM技术准备的Fluxless工艺设备，在Loong WS平台基础上增加了甲酸还原系统，消除了Flux在整个堆叠工艺中带来的不良，可以直接进行coper-coper的键合，支持最小IO pitch在15微米，在未来HBM4堆叠层数增加和IO激增的情况下，Loong F将会是最具性价比的解决方案。

相信随着中国半导体技术的进步和普莱信智能Loong系列TCB设备的推出和量产，国产厂商在AI芯片和HBM产品的研发和制造上，将在不远的将来引来爆发点。

审核编辑 黄宇