台积电2nm制程近况佳，N3X、N2P以及A16节点已在规划中

据悉，台湾《MoneyDJ 理财网》于5月24日透露，台积电高管在近期举行的2024年技术论坛上透露，该公司采用Nanosheet纳米片（GAA晶体管）的2nm节点研发进程十分顺利。

台积电联合首席运营官张晓强进一步指出，2nm制程的研发正处于“非常顺利”的状态：纳米片的“转换效果”已达预定目标中的90%，良率亦超过80%。台积电预计，其N2制程在2025年问世后，仍将保持业界领先地位。

此外，Anandtech网站整理显示，台积电计划在2025年下半年实现N2制程的大规模生产，同时还将推出适用于HPC应用的3nm家族N3X制程。

N3X制程具备更优的1.2V最大电压，与N3P制程相比，在同等频率下功耗降低7%，在同等面积下性能提高5%，在同等频率下密度增加10%。据IT之家早前报道，该节点有望自今年起开始接受投片。

至于2026年下半年，台积电将量产两款2nm家族变体制程：N2P及A16。其中，N2P制程在同等频率和密度下功耗降低5~10%，在同等密度和功耗下性能提高5~10%。

在A16节点，台积电将正式引入背面供电技术。该制程能在相同工作电压下，频率提高8~10%；在同等频率下功耗降低15~20%，密度最高提高10%。